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Bi, Te, Se, Sn 원료를 진공상태의 앰플에 장입하는 단계;상기 진공상태의 앰플에 장입한 원료를 용융시키는 단계; 상기 용융된 원료를 급랭시켜 잉곳으로 제조하는 단계;상기 잉곳을 소결하는 단계를 포함하여 Sn이 도핑 된 n-형 Bi-Te-Se계 열전 재료를 제조하는 것을 특징으로 하는 열전 재료 제조방법
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Bi, Te, Se, Sn 원료를 진공상태의 앰플에 장입하는 단계;상기 진공상태의 앰플에 장입한 원료를 용융시키는 단계; 상기 용융된 원료를 급랭시켜 잉곳으로 제조하는 단계;상기 잉곳을 분쇄하여 열전 분말로 제조하는 단계;상기 열전 분말을 소결하는 단계를 포함하여 Sn이 도핑 된 n-형 Bi-Te-Se계 열전 재료를 제조하는 것을 특징으로 하는 열전 재료 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 Bi, Te, Se 원료는 Bi2Te3-XSeX의 조성으로 포함되며, X는 0
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청구항 3에 있어서, 상기 Sn은 상기 Bi2Te3-XSeX의 조성 100 중량부에 대해 0
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 용융은 700℃~800℃의 온도에서 1시간~12시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 열전 재료 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 소결은 400℃ 이상 550℃ 이하의 온도에서 100시간 이하의 진공 열처리 소결 또는, 300℃ 이상 400℃ 미만의 온도, 5MPa 내지 500MPa 압력 하에서 1분 내지 10시간 동안 열간 프레스 소결 또는 스파크 플라즈마 소결로 수행되는 것을 특징으로 하는 열전 재료 제조방법
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청구항 2에 있어서, 상기 잉곳을 분쇄하여 열전 분말로 제조하는 단계 이후 상기 열전 분말을 소결하는 단계 이전,상기 열전 분말을 환원하는 공정이 수행되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 재료 제조방법
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Sn이 도핑 된 n-형 Bi-Te-Se계인 것을 특징으로 하는 열전 재료
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청구항 8에 있어서, 상기 Sn이 도핑 된 n-형 Bi-Te-Se계는 상기 Bi-Te-Se계가 Bi2Te3-XSeX의 조성이며, X는 0
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청구항 8에 있어서, 상기 Sn이 도핑 된 n-형 Bi-Te-Se계는 전하농도가 3
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