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방사선을 탐지하여 그에 비례하는 전기적인 신호를 발생하는 반도체 방사능 탐지소자(1)와, 상기 반도체 방사능 탐지소자(1)의 출력신호를 증폭하여 티티엘(TTL)수준의 구형파 신호로 변환 처리하는 아날로그 회로부(2)와, 상기 아날로그 회로부(2)의 출력신호를 입력받아 계수한 후 선량과 선율로 구분하여 디지털 신호로 처리하는 디지털 회로부(3)와, 상기 디지털 회로부(3)에서 처리된 결과를 표시하는 액정표시부(4)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정 처리 장치
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제1항에 있어서, 반도체 방사능 탐지소자(1)는 카드뮴(Cd), 아연(Zn), 테레륨(Te)의 원소성분비가 0
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제2항에 있어서, 반도체 방사능 탐지소자(1)는 전체 체적이 이용되는 체적(Bulk)형 구조로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정 처리장치
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제2항에 있어서, 반도체 방사능 탐지소자(1)는 인가전압 50V에서 누설전류가 10nA 이하로 되게 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정 처리장치
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제1항에 있어서, 아날로그 회로부(2)는 반도체 방사능 탐지소자(1)의 출력신호를 부궤환 증폭하는 제1증폭부(21)와, 상기 제1증폭부(21)의 출력신호를 고역 통과하는 제1고역 통과 필터(22)와, 상기 제1고역 통과 필터(22)의 출력신호를 정궤환 증폭하는 제2증폭부(23)와, 상기 제2증폭부(23)의 출력신호를 고역 통과하는 제2고역 통과 필터(24)와, 상기 제2고역 통과 필터(24)의 출력신호를 티티엘(TTL) 수준의 구형파 신호로 변환 출력하는 비교부(25)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정 처리장치
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제1항에 있어서, 디지털 회로부(3)는 시스템 전체동작을 제어함과 아울러 아날로그 회로부(2)의 출력신호를 입력받아 계수한 후 선량과 선율로 구분하여 디지털 처리한 후 그 결과를 액정표시부(4)에 표시하는 주전산기(31)와, 클럭신호를 발생하여 상기 주전산기(31)에 인가하는 클럭 발생부(32)와, 상기 주전산기(31)에 각종 키신호를 인가하는 키패드부(33)와, 상기 주전산기(31)의 경보출력신호에 따라 경보상태를 나타내는 경보부(34)와, 상기 주전산기(31)의 출력신호를 논리곱하여 상기 액정표시부(4)의 인에이블 상태를 제어하는 논리회로부(35)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정 처리장치
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제6항에 있어서, 키패드부(33)는 모드, 초기화, 선율, 선량, 감소 및 증가키신호를 주전산기(31)에 인가하게 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정 처리장치
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제6항에 있어서, 경보부(34)는 발광다이오드의 점등에 의해 경보상태를 표시함과 아울러 부저음의 발생에 의해 경보상태를 알려주게 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정 처리장치
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제1항에 있어서, 액정표시부(4)는 저항(R10)의 저항값 조정에 의해 표시밝기를 조정하게 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 탐지소자를 이용한 휴대용 방사능 측정 처리장치
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