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마그네트론 스퍼터링법을 이용한 산소/아르곤 유량비 조절을 통한 금속이 도핑된 ZnO 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015157268
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 금속이 도핑된 ZnO 박막의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 금속을 도핑시켜 ZnO 박막을 제조하는 공정에 있어서, 혼합기체로 흘려주는 산소/아르곤의 유량비를 조절함으로써 ZnO:Al 박막의 결정성, 광학적 특성, 전기적 특성, 투과도 등이 향상된 ZnO 박막의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의하면 결정성 및 표면 형상이 우수하고, 전기 전도성과 같은 전기적 특성이 향상된 ZnO 박막을 제조할 수 있다. 그 결과, 다양한 응용성으로 주목받고 있는 ZnO 박막의 응용 분야에서 그 적용 가능성을 높일 것으로 기대된다. 특히, 디스플레이 장치 분야에서 투명전극으로 사용되고 있는 종래의 ITO를 대체함으로써, 고가의 디스플레이 장치 등의 가격을 하락시킬 수 있을 것으로 기대된다.ZnO 박막, 마그네트론 스퍼터링법, 산소/아르곤 유량비
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020050075491 (2005.08.18)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0021342 (2007.02.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.08.18)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종무 대한민국 경기 고양시 일산구
2 임근빈 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0452728-18
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0507357-51
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0552614-16
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0864968-01
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0949072-23
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0063195-38
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0149207-93
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0236437-06
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0379618-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
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번호 청구항
1 1
일정 유량비의 산소/아르곤 혼합기체 분위기에서 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 금속이 도핑된 ZnO 박막을 기판 위에 증착하는 단계; 및상기 금속이 도핑된 ZnO 박막을 후열처리하는 단계를 포함하는 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 금속이 도핑된 ZnO 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 산소/아르곤 혼합기체의 유량비는 0
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속이 도핑된 ZnO 박막을 기판 위에 증착하는 단계는 타겟으로 금속 원소가 도핑된 ZnO 타겟에 마그네트론 스퍼터링법을 이용하는 단계를 포함하는 하는 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 금속이 도핑된 ZnO 박막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속이 도핑된 ZnO 박막을 기판 위에 증착하는 단계는 ZnO 타겟에 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 ZnO 박막을 기판 위에 증착하는 단계; 및 상기 ZnO 박막에 화학적 도핑법, 전기화학적 도핑법 또는 이온주입법 가운데 어느 하나의 방법을 이용하여 금속을 도핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 금속이 도핑된 ZnO 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 금속은 B, Al, Ga 또는 In 가운데 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 금속이 도핑된 ZnO 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.