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하부 기판 상에 활성 층과 투명 전극 층이 순차 적층된 발광 다이오드에 있어서, 상기 활성 층과 투명 전극 층 사이에 그 크기가 10㎚ ~ 600㎚ 이고, 그 높이는 10㎚ ~ 200㎚ 인 나노 크기의 초상유전 금속 점 배열 층이 추가로 형성되고, 상기 금속 점은 전체 활성 층에 대하여 45~70％의 면적비율 또는 개구율로 형성된 발광다이오드
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제1항에 있어서, 상기 금속은 Cr, Cu, Au 및 Al으로 이루어진 군 중에서 1종 이상이 선택되는 것인 발광다이오드
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제1항에 있어서, 상기 금속 점이 주기적 또는 준 주기적인 삼각, 사각, 또는 이들의 혼합 격자 점 배열방식으로 패턴화된 발광다이오드
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제1항에 있어서, 상기 금속 점이 주기적 또는 준 주기적인 삼각, 사각, 또는 이들의 혼합 격자 구멍 배열방식으로 패턴화된 발광다이오드
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제1항에 있어서, 상기 금속 점이 무정형 점 배열방식으로 형성된 발광다이오드
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삭제
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하부 기판 상에 활성 층과 투명 전극 층이 순차 적층된 발광 다이오드의 제조방법에 있어서, 상기 활성층과 투명 전극 층 사이에 그 크기가 10㎚ ~ 600㎚ 이고, 그 높이는 10㎚ ~ 200㎚ 인 나노 크기의 초상유전 금속 점을 전체 활성층에 대하여 45~70％의 면적비율 또는 개구율로 배열한 층을 추가 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 초상유전 금속 점 배열 층은 마스크를 이용한 스퍼터링 방법, 또는 마스크를 이용한 포토리쏘그래피법 및 에칭 방법으로 구현된 것인 발광다이오드의 제조방법
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