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초정밀 멤스 소자 시뮬레이션 방법

  • 기술번호 : KST2015157293
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초정밀 멤스 소자 시뮬레이션 방법에 관한 것으로서, 특히 몬테카를로 수치 해석 계산과 셀 제거 방식의 표면 전진 계산을 수행함에 있어 병렬 컴퓨팅 알고리즘을 적용하여 수치 계산의 효율성을 높이기 위한 반도체 식각 공정 시뮬레이션 방법을 제공한다. 본 발명의 초정밀 멤스 소자 시뮬레이션 방법은 기판 입자를 제거하기 위한 특정 이온이 플라즈마 챔버 내부의 공핍층을 통과하여 기판에 도달하는 입자 거동 메카니즘을 시뮬레이션하는 단계에 있어서, 병렬 컴퓨팅 몬테카를로 수치해석 알고리즘을 적용하는 단계와, 기판에 도달된 식각 입자에 의한 표면의 형상 변화 시뮬레이션 단계에 있어서, 병렬 표면 전진 알고리즘을 적용하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 본원 발명은 이온 거동 시뮬레이션과 기판 표면 전진 시뮬레이션에 병렬 컴퓨팅 알고리즘을 적용함으로써, 단일 프로세서에 의한 방대한 메모리 사용 및 계산 시간의 지연 등 계산상의 문제점을 해결한다. 초정밀 멤스 소자, 시뮬레이션.
Int. CL H01L 21/00 (2006.01)
CPC H01L 22/20(2013.01) H01L 22/20(2013.01)
출원번호/일자 1020040096679 (2004.11.24)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2006-0057692 (2006.05.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 원태영 대한민국 서울특별시 강남구
2 윤석인 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0548851-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2005-0004879-11
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2006.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0079726-67
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
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번호 청구항
1 1
챔버 내부의 플라즈마 가스로부터 기판에 도달하는 입자의 거동을 수치 해석적으로 연산하는 단계; 상기 계산된 결과를 표면 전진기에 입력하는 단계; 셀 제거 방식을 이용한 기판 형상 변화 수치 해석 연산 단계; 표면 진화 계산 단계를 포함하는 것 을 특징으로 하는 반도체 식각 공정 시뮬레이션의 병렬 연산 구현 방법
2 2
제1항에 있어서, 입자의 거동을 병렬 몬테카를로 방식으로 연산하는 것을 특징으로 하는 반도체 식각 공정 시뮬레이션의 병렬 연산 구현 방법
3 3
제1항에 있어서, 표면 진화 연산을 병렬 분산 처리로 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 식각 공정 시뮬레이션의 병렬 연산 구현 방법
4 3
제1항에 있어서, 표면 진화 연산을 병렬 분산 처리로 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 식각 공정 시뮬레이션의 병렬 연산 구현 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.