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자기광학소자의 제작방법 및 그 제작방법에 의해 제작된자기광학소자

  • 기술번호 : KST2015157307
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기광학소자의 제작방법 및 그 제작방법에 의해 제작된 자기광학소자에 관한 것으로, 본 발명은 기판의 상면에 적층된 자기장 인가 층, 상기 자기장 인가 층 상면에 적층되어 상기 자기장 인가 층을 통해 자화되는 자기 광학 층 및 상기 자기 광학 층 상면에 적층되어 상기 자기 광학 층을 보호하는 보호층으로 이루어진 적층구조를 준비하는 단계; 상기 적층구조로 입사되는 광의 진행 방향과 상기 자기 광학 층의 자화방향의 기하학적 배치에 의해 설정되는 극방향, 종방향 및 횡방향 자기 광학적 배치 중 어느 하나를 통해 상기 자기 광학 층에 자기장을 인가하는 단계; 및, 상기 자기 광학 층에 형성된 광 도파로의 일부에 선택적으로 자화영역을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.자기 광학 소자, 자화, 극방향, 종방향, 횡방향, 자기 광학적 배치, 도파로형 집적 광 아이솔레이터
Int. CL G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/10 (2006.01)
CPC G02B 6/12(2013.01) G02B 6/12(2013.01) G02B 6/12(2013.01) G02B 6/12(2013.01)
출원번호/일자 1020060030547 (2006.04.04)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0757376-0000 (2007.09.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.04)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오범환 대한민국 인천광역시 연수구
2 양정수 대한민국 서울 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0235708-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0012715-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0350913-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0621149-82
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0621151-74
7 등록결정서
Decision to grant
2007.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0474541-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상면에 적층된 자기장 인가 층, 상기 자기장 인가 층 상면에 적층되어 상기 자기장 인가 층을 통해 자화되는 자기 광학 층 및 상기 자기 광학 층 상면에 적층되어 상기 자기 광학 층을 보호하는 보호층으로 이루어진 적층구조를 준비하는 단계;상기 적층구조로 입사되는 광의 진행 방향과 상기 자기 광학 층의 자화방향의 기하학적 배치에 의해 설정되는 극방향, 종방향 및 횡방향 자기 광학적 배치 중 어느 하나를 통해 상기 자기 광학 층에 자기장을 인가하는 단계; 및 상기 자기 광학 층에 형성된 광 도파로의 일부에 선택적으로 자화영역을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 자기장 인가 층은상기 자기 광학 층 하면에 적층된 자석층; 및,상기 자석층 하면에 적층된 연자성 층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 극방향 자기 광학적 배치는 상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 진행 방향과 자화 방향이 서로 수직하며, 자화 방향은 자기 이방성 물질에 의해 상기 자기 광학 층의 평면에 수직한 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 자기 이방성 물질은 Cr합금인 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
5 5
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 연자성 층은 NiFe인 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 자기장 인가 층은상기 자기 광학 층 하면에 적층된 자석 층;상기 자석 층에 적층된 비자성 층; 및상기 비자성 층 하면에 적층된 자화 안정 층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 종방향 자기 광학적 배치는 상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 진행 방향과 자화 방향이 서로 평행하며, 자화 방향은 상기 자기 광학 층의 평면에 평행한 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 횡방향 자기 광학적 배치는 상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 진행 방향과 자화 방향이 서로 수직하고, 자화방향은 상기 자기 광학 층의 평면에 평행한 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
9 9
제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자석 층은 CoPtCrB 인 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
10 10
제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비자성 층은 Ru 인 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
11 11
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 비자성 층은상기 비자성 층의 두께를 조절하여 자석층과 자화 안정 층의 자화방향이 서로 반대 방향이 되는 구조로 이룸으로써, 상기 자석 층의 용이한 자화 반전 및 열적 안정성을 향상시키고 상기 자석 층의 자화로 인해 상기 자기 광학 층의 정밀한 자화를 유도하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
12 12
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 자석 층은상기 자석 층의 길이 및 폭을 조절하여 상기 자석 층의 모양에 의해 발생할 수 있는 자기 이방성을 해소하고, 상기 자기 광학 층을 자화 시키는 것을 특징으로하는 자기광학소자의 제조방법
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 광 도파로의 자화영역은 하단이 상부에 비해 좁게 형성된 전자석 팁에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 광 도파로에 자화영역을 형성하는 단계에서,상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 편광 회전각을 이용하여 상기 광 도파로 일부를 선택적으로 자화시켜 광의 편광 회전각을 유발시키며, 상기 편광 회전 각은 광 도파로의 자화된 자화영역의 길이에 비례하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 편광 회전각은 45°인 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
16 16
제 1 항에 있어서, 상기 광 도파로는 중앙이 분기되는 한쌍으로 이루어지며, 상기 한쌍의 광 도파로에 선택적으로 자화영역을 형성하는 단계에서,상기 적층구조를 향해 입사되는 광의 수평 모드와 수직 모드(전계기준)의 비가역적 위상 변위를 통해, 상기 한쌍의 암을 지나는 광의 위상차에 따른 출력광의 세기를 조절하여 미세한 자화 반전 영역을 조절하여 광의 위상차에 따른 출력광의 세기를 조절하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자의 제조방법
17 17
기판의 상면에 적층된 자기장 인가 층;상기 자기장 인가 층 상면에 적층되어 상기 자기장 인가 층을 통해 자화되는 자기 광학 층; 및상기 자기 광학 층 상면에 적층되어 상기 자기 광학 층을 보호하는 보호층;으로 이루어지며,상기 적층된 구도를 향해 입사되는 광의 진행 방향과 상기 자기 광학 층의 자화방향의 기하학적 배치에 의해 설정되는 극방향, 종방향 및 횡방향 자기 광학적 배치 중 어느 하나를 통해 상기 자기 광학 층에 자기장이 인가되고, 상기 자기 광학 층에 형성된 광 도파로의 일부에 선택적으로 자화영역이 형성된 것을 특징으로 하는 자기광학소자
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 자기장 인가 층은상기 자기 광학 층 하면에 적층된 자석층; 및,상기 자석층 하면에 적층된 연자성 층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자
19 19
제 17 항에 있어서, 상기 자기장 인가 층은상기 자기 광학 층 하면에 적층된 자석 층;상기 자석 층에 적층된 비자성 층; 및상기 비자성 층 하면에 적층된 자화 안정 층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기광학소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.