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고주파 영역의 무선주파수 전계 효과 트랜지스터 전산 모사방법

  • 기술번호 : KST2015157405
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무선주파수 모델링을 통해 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 반도체 소자들의 게이트 저항 추출에 관한 것으로서, 특히 고주파 영역으로 갈수록 게이트 저항의 크기가 커지게 되는 무선주파수 MOSFET 반도체 소자 모델링에 관한 것이다.본 발명은 소 신호 모델링을 이용하여 각각의 parameter들은 S-parameter 측정으로부터 Y-parameter를 분석함으로써 얻어졌고, model의 정확성은 20GHz까지 비교하였다. n-MOSFET의 전체 모델링 오차가 20GHz까지 1.46%이다. 제안되어진 소 신호 모델링을 이용하여 고주파 영역에서의 신뢰성 높은 MOSFET 반도체 소자를 설계할 수 있다. 모스펫 반도체, 고주파 RF 모델링, 고주파 무선 주파수 집적회로, 기생저항.
Int. CL G06F 17/00 (2006.01) G06F 9/455 (2006.01)
CPC H01L 29/435(2013.01) H01L 29/435(2013.01) H01L 29/435(2013.01) H01L 29/435(2013.01) H01L 29/435(2013.01)
출원번호/일자 1020070012976 (2007.02.08)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0000249 (2009.01.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신형철 대한민국 서울특별시 서초구
2 강인만 대한민국 서울특별시 관악구
3 원태영 대한민국 경기도 화성시
4 조상영 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0116480-78
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2007.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-5029010-53
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2007.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0256058-63
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
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번호 청구항
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20Ghz 영역에서의 MOSFET 반도체 소자의 물리적 현상을 보다 정확히 예측할 수 있는 제안되어진 소신호 모델링 기법에 있어서,(a) substrate signal coupling network 와 관련된 캐패시턴스 Cjs,Cjd,Rsub을 제거한 단계;(b) Cbs, Cbd, Cmb를 추가하여 본 회로의 On/Off를 정밀히 제어한 단계; 및 (c) 오버랩 캐패피턴스 cgse, cgde를 추가하여 잔류 전류를 제거함과 동시에 Body에 고 저항 값을 지닌 Rsub 또한 추가함으로써 잔류 전류의 접지로의 배출을 용이하게 한 단계를 포함하는 소신호 모델링 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.