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복수의 자구들(magnetic domains)을 갖는 정보 저장 패턴;상기 정보 저장 패턴의 양단에 연결된 배선들; 및상기 정보 저장 패턴의 일측에 배치되는 적어도 하나의 요크 패턴(yoke pattern)을 포함하되,상기 정보 저장 패턴과 상기 요크 패턴 사이의 간격은 1nm 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 정보 저장 패턴는 강자성체(ferro-magnetic material), 강자성체 합금(ferro-magnetic material) alloy), 및 페리자성체(ferri-magnetic material) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 정보 저장 패턴은 스트립 라인(strip line) 모양, "U" 모양, 및 서펜타인(serpentine) 모양 중에서 적어도 하나의 모양을 갖는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 요크 패턴과 상기 정보 저장 패턴 사이에 개재된 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
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제 4 항에 있어서, 상기 요크 패턴은 퍼멀로이 강자성체 물질(permalloy ferromagnetic material), 수퍼 퍼멀로이 강자성체 물질(super-permalloy ferromagnetic material), 수직 자기 이방성을 가지는 자성체 물질(vertical magnetic anisotropy material)들 중에서 적어도 한가지를 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
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제 1항에 있어서, 상기 요크 패턴은 스트립 라인(strip line) 모양, "U" 모양, 및 서펜타인(serpentine) 모양 중에서 적어도 하나의 모양을 갖는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
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제1 항에 있어서,상기 정보 저장 패턴과 상기 요크 패턴은 서로 평행한 장축을 갖는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 요크 패턴은 정보 저장 패턴의 상부 및 하부에 각각 배치되는 상부 요크 패턴과 하부 요크 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
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복수의 자구들(magnetic domains)을 갖는 정보 저장 패턴;상기 정보 저장 패턴의 양단에 연결된 배선들; 및상기 정보 저장 패턴의 일측에 배치되는 적어도 하나의 요크 패턴(yoke pattern)을 포함하되,상기 요크 패턴은 정보 저장 패턴의 상부 및 하부에 각각 배치되는 상부 요크 패턴과 하부 요크 패턴을 포함하고,상기 상부 요크 패턴 및 상기 하부 요크 패턴은 서로 접촉하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 배선들에 연결되어 상기 정보 저장 패턴에 흐르는 전류를 생성하는 전류인가 회로를 더 구비하는 자벽이동 메모리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 정보 저장 패턴의 일측에서, 적어도 하나의 자구에 대향되는 재생 전극 구조체; 및상기 정보 저장 패턴의 일측에서, 적어도 하나의 자구에 대향되는 기록 전극 구조체를 구비하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
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복수의 자구들(magnetic domains)을 갖는 정보 저장 패턴;상기 정보 저장 패턴의 양단에 연결된 배선들; 및상기 정보 저장 패턴의 일측에 배치되는 적어도 하나의 요크 패턴(yoke pattern)을 포함하되,상기 정보 저장 패턴의 일측에서, 적어도 하나의 자구에 대향되는 재생 전극 구조체; 및 상기 정보 저장 패턴의 일측에서, 적어도 하나의 자구에 대향되는 기록 전극 구조체를 더 포함하고, 상기 재생 및 기록 전극 구조체들은 상기 정보 저장 패턴과 상기 요크 패턴 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
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기판 상에 정보 저장 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 적어도 하나의 요크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 정보 저장 패턴과 상기 요크 패턴 사이에 절연막을 형성하는 단계를 포함하되,상기 요크 패턴은 상기 정보 저장 패턴의 일측에 형성되는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법
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제 14 항에 있어서,상기 요크 패턴은 퍼멀로이 강자성체 물질(permalloy ferromagnetic material), 수퍼 퍼멀로이 강자성체 물질(super-permalloy ferromagnetic material), 수직 자기 이방성을 가지는 자성체 물질(vertical magnetic anisotropy material)들 중에서 적어도 한 가지를 포함하는 을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법
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