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인위적 반강자성 또는 인위적 준반강자성을 갖는 자벽이동메모리 장치 및 그 형성 방법

기술번호 : KST2015157415
담당센터 : 인천기술혁신센터
전화번호 : 032-420-3580

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 인위적 반강자성 또는 인위적 준반강자성을 갖는 자벽이동 메모리 장치 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 장치는 복수 개의 셀 영역들을 갖는 기판 및 셀 영역에 배치되는 메모리 패턴을 포함하되, 상기 메모리 패턴은 복수의 자구들을 갖는 제1 정보 저장 패턴, 상기 제1 정보 저장 패턴과 나란히 진행하는 복수의 자구들을 갖는 제2 정보 저장 패턴, 및 상기 제1 정보 저장 패턴과 상기 제2 정보 저장 패턴 사이에 개재된 적어도 하나의 비자성 패턴을 포함한다. 전류인가, 자벽이동, 자벽, 자구, 반강자성, 준반강자성
Int. CL	G11B 9/00 (2006.01) G11B 5/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020070048258 (2007.05.17)
출원인	인하대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0887643-0000 (2009.03.02)
공개번호/일자	10-2008-0102008 (2008.11.24) 문서열기
공고번호/일자	(20090311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.05.17)
심사청구항수	19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	인하대학교 산학협력단	대한민국	인천광역시 미추홀구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	유천열	대한민국	인천 연수구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	오세준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)(특허법인 고려)
2	권혁수	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3	송윤호	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	인하대학교 산학협력단	대한민국	인천광역시 남구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2007.05.17	수리 (Accepted)	1-1-2007-0364583-77
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2008.01.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2008.02.14	수리 (Accepted)	9-1-2008-0008995-12
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.03.07	수리 (Accepted)	4-1-2008-0003929-31
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2008-5093865-89
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2008.08.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0450312-43
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2008-0708316-18
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.10.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0708314-16
9	등록결정서 Decision to grant	2009.02.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0083194-77
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.17	수리 (Accepted)	4-1-2009-5220324-82
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.07.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5098802-16
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.09.05	수리 (Accepted)	4-1-2016-5127132-49
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.03.02	수리 (Accepted)	4-1-2018-5036549-31
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266647-91

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 복수 개의 셀 영역들을 갖는 기판; 및상기 셀 영역에 배치되는 메모리 패턴을 포함하되,상기 메모리 패턴은 복수의 자구들(magnetic domains)을 갖는 제1 정보 저장 패턴(the first data storage pattern), 상기 제1 정보 저장 패턴과 나란히 진행하는 복수의 자구들을 갖는 제2 정보 저장 패턴, 및 상기 제1 정보 저장 패턴과 상기 제2 정보 저장 패턴 사이에 개재된 적어도 하나의 비자성 패턴을 포함하는 자벽이동 메모리 장치
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 정보 저장 패턴의 소정의 자구의 자화 방향은 이에 대향하는 제2 정보 저장 패턴의 자구의 자화 방향과 반평행한 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
3	3 제 1 항에 있어서,상기 제 1 정보 저장 패턴의 소정의 자구의 자화 방향은 이에 대향하는 제2 정보 저장 패턴의 자구의 자화 방향과 평행한 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제1, 제2 정보 저장 패턴들은 강자성체(ferromagnetic material), 강자성체 합금, 및 페리자성체(ferrimagnetic material) 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
5	5 제 1 항에 있어서,상기 메모리 패턴은 스트립 라인(strip line) 모양, "U" 모양, 및 서펜타인(serpentine) 모양 중에서 적어도 하나의 모양인 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
6	6 제1 항에 있어서,상기 제1 정보 저장 패턴의 두께와 상기 제2 정보 저장 패턴의 두께가 다른 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
7	7 제1 항에 있어서,상기 제1 정보 저장 패턴의 두께와 상기 제2 정보 저장 패턴의 두께가 같은 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
8	8 제1 항에 있어서,상기 제1 정보 저장 패턴의 두께와 상기 제2 정보 저장 패턴의 물질이 같은 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
9	9 제1 항에 있어서,상기 제1 정보 저장 패턴의 물질와 상기 제2 정보 저장 패턴의 물질이 다른 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
10	10 제1 항에 있어서,상기 비자성 패턴은 전이금속 및 그 합금 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
11	11 제 10 항에 있어서,상기 전이금속은 구리(Cu), 크롬(Cr), 루세듐(Ru) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
12	12 제 1항에 있어서, 상기 제1 정보 자장 패턴과 상기 제2 정보 저장 패턴의 간격은 0
13	13 제 1항에 있어서,상기 메모리 패턴의 일측에서 배치되어, 상기 제1 및 제2 정보 저장 패턴들의 자구들 중에 적어도 하나의 자구에 대향되는 적어도 하나의 재생 전극 구조체; 및상기 메모리 패턴의 일측에 배치되어, 상기 제1 및 제2 정보 저장 패턴들의 자구들 중에 적어도 하나의 자구에 대향되는 적어도 하나의 기록 전극 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치
14	14 복수의 자구들(magnetic domains)을 갖는 제1 정보 저장 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 정보 저장 패턴 상에 비자성 패턴을 형성하는 단계; 및상기 비자성 패턴 상에 제2 정보저장 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법
15	15 제 14 항에 있어서,상기 제2 정보 저장 패턴, 상기 비자성 패턴, 및 제1 정보 저장 패턴을 형성하는 단계는:기판 상에 차례로 적층된 제1 정보 저장막, 비자성막, 및 제2 정보 저장막을 형성하는 단계; 및상기 제2 정보 저장막, 비자성막, 및 제1 정보 저장막을 연속적으로 패터닝하여 상기 제2 정보 저장 패턴, 상기 비자성 패턴, 및 상기 제1 정보 저장 패턴을 형성하는 것을 포함하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법
16	16 제 14 항에 있어서,상기 비자성 패턴은 전이금속 및 그 합금으로 형성하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법
17	17 제 16 항에 있어서,상기 전이금속은 구리(Cu), 크롬(Cr), 루세듐(Ru) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법
18	18 제 14 항에 있어서,상기 제1 정보 저장 패턴과 상기 제2 정보 저장 패턴의 간격은 0
19	19 제 14 항에 있어서,상기 제1 정보 저장 패턴의 두께와 상기 제2 정보 저장 패턴의 두께가 다른 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2008143381	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2008143381	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0887643-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070517 출원 번호 : 1020070048258 공고 연월일 : 20090311 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090224 청구범위의 항수 : 19 유별 : G11B 5/02 발명의 명칭 : 인위적 반강자성 또는 인위적 준반강자성을 갖는 자벽이동메모리 장치 및 그 형성 방법 존속기간(예정)만료일 : 20180303

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 인하대학교 산학협력단 인천광역시 남구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	393,000 원	2009년 03월 03일	납입
제 4 년분	금 액	458,000 원	2012년 02월 27일	납입
제 5 년분	금 액	458,000 원	2013년 02월 25일	납입
제 6 년분	금 액	458,000 원	2013년 12월 17일	납입
제 7 년분	금 액	822,000 원	2014년 12월 04일	납입
제 8 년분	금 액	822,000 원	2016년 01월 13일	납입
제 9 년분	금 액	575,400 원	2016년 12월 20일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2007.05.17	수리 (Accepted)	1-1-2007-0364583-77
2	선행기술조사의뢰서	2008.01.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2008.02.14	수리 (Accepted)	9-1-2008-0008995-12
4	출원인정보변경(경정)신고서	2008.03.07	수리 (Accepted)	4-1-2008-0003929-31
5	출원인정보변경(경정)신고서	2008.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2008-5093865-89
6	의견제출통지서	2008.08.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0450312-43
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2008-0708316-18
8	[명세서등 보정]보정서	2008.10.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0708314-16
9	등록결정서	2009.02.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0083194-77
10	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.17	수리 (Accepted)	4-1-2009-5220324-82
11	출원인정보변경(경정)신고서	2015.07.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5098802-16
12	출원인정보변경(경정)신고서	2016.09.05	수리 (Accepted)	4-1-2016-5127132-49
13	출원인정보변경(경정)신고서	2018.03.02	수리 (Accepted)	4-1-2018-5036549-31
14	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266647-91


과제고유번호	1345095837
세부과제번호	핵06A2809
연구과제명	정보기술양자물질연구사업팀
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	인하대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200603~201302
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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