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1
박막의 면 방향에 자화 방향을 가지고 강자성체를 포함하는 고정 자성층;
박막의 면에서 회전하는 자화방향을 가지고 강자성체를 포함하는 회전 자성층;
상기 회전 자성층과 상기 고정 자성층 사이에 개재된 비자성층; 및
상기 회전 자성층과 접촉하여 배치되어 상기 회전 자성층에 교환자기장을 제공하는 반강자성층을 포함하고,
상기 고정 자성층/비자성층/회전자성층/반강자성층을 통하여 전류가 인가되어 상기 회전 자성층의 자화방향이 회전함에 따라 고주파 자기장이 생성되는 것을 특징으로 하는 스핀 토크 나노 진동 소자
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| 2 |
2
제1 항에 있어서,
상기 반강자성층은 FeMn, IrMn, PtMn, CoO, 및 NiO 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 토크 나노 진동 소자
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| 3 |
3
제1 항에 있어서,
상기 고정 자성층의 보자력은 상기 회전 자성층의 보자력보다 크고,
상기 고정 자성층의 두께는 상기 회전 자성층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 스핀 토크 나노 진동 소자
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| 4 |
4
제1 항에 있어서,
상기 고정 자성층은 전이금속- 희토류 금속의 합금인 것을 특징으로 하는 스핀 토크 나노 진동 소자
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| 5 |
5
제 4 항에 있어서,
상기 전이 금속은 Fe, Co, 및 Ni 중에서 적어도 하나를 포함하고,
상기 희토류 금속은 Tb, Sm, Nd, Gd, Dy, Ho, 및 Er 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 토크 나노 진동 소자
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| 6 |
6
제 1 항에 있어서,
상기 고정 자성층은 차례로 적층된 반강자성층/제1 강자성층/비자성 금속층/제2 강자성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 토크 나노 진동 소자
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| 7 |
7
제 1 항에 있어서,
상기 비자성층은 비자성 금속, 절연층, 및 반도체층 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 토크 나노 진동 소자
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| 8 |
8
제 7 항에 있어서,
상기 비자성 금속은 Cu, Ru, Au, Ag, Ta, 및 Al 중에서 적어도 하나를 포함하고,
상기 절연층은 MgO, AlOx, TaOx, 및 ZrOx 중에서 적어도 하나를 포함하고,
상기 반도체층은 Si, GaAs, 및 SeZn 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 토크 나노 진동 소자
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| 9 |
9
제 1 항에 있어서,
상기 회전 자성층은 Co, Fe, No, B, Si, Zr 중에서 적어도 하나를 포함하는 합금인 것을 특징으로 하는 스핀 토크 나노 진동 소자
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| 10 |
10
제 1 항에 있어서,
상기 회전 자성층의 두께는 0
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| 11 |
11
제 1 항에 있어서,
상기 반강자성층의 두께는 0
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12
박막의 면 방향에 자화 방향을 가지고 강자성체를 포함하는 고정 자성층;
박막의 면에서 회전하는 자화방향을 가지고 강자성체를 포함하는 회전 자성층;
상기 회전 자성층과 상기 고정 자성층 사이에 개재된 비자성층; 및
상기 회전 자성층과 접촉하여 배치되어 상기 회전 자성층에 교환자기장을 제공하는 반강자성층을 포함하고,
상기 고정 자성층/비자성층/회전자성층/반강자성층을 통하여 전류가 인가되어 상기 회전 자성층의 자화방향이 회전함에 따라 교류 신호가 생성되는 것을 특징으로 하는 초고주파 발진기
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13
제12 항에 있어서,
상기 반강자성층은 FeMn, IrMn, PtMn, CoO, 및 NiO 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 초고주파 발진기
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