| 1 |
1
이중위상반전과 원자결맞음 위상조절에 기초한 양자메모리에 있어서,바닥상태인 |1003e# 및 |2003e#와 들뜬상태인 |3003e#로 구성되는 세 개의 에너지 준위 |1003e#, |2003e#, |3003e#를 갖고, 광펄스발생부(20)로부터 광펄스를 입력 받아 위상맞음조건을 만족하는 출력광(E1)을 생성하는 광매질(10); 및상기 광매질(10)의 에너지 준위 사이에서 공진하는 최소 5개의 광펄스를 생성하는 광펄스발생부(20); 를 포함하며,상기 세 개의 에너지 준위를 갖는 광매질에 입사되는 상기 광펄스 사이에 상호작용으로, 동일한 π-펄스를 갖는 제1조절광(B1)과 제2조절광(B2)을 통해 원자결맞음의 위상이득이 π가 되고 위상반전광1(R1)에 의한 위상이득 π와 함께 2π의 위상전이를 갖게되어, 흡수특성을 갖는 출력광(E1)을 생성하고, 위상반전광2(R2)를 통해 상기 위상맞음조건에 따른 원자결맞음의 위상차 3π인 방출특성을 갖는 최종출력광(E2)을 생성하는 것을 특징으로 하는 이중위상반전과 원자결맞음 위상조절에 기초한 양자메모리
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 최소 5개의 광펄스는,상기 광매질(10)의 에너지 준위 |1003e#과 |3003e# 사이에서 공진하는 입력광(D)과 위상반전광1(R1) 중 어느 하나 이상을 포함하는 제1광펄스군(f1);상기 광매질(10)의 에너지 준위 |2003e#와 |3003e# 사이에서 공진하는 제1조절광(B1)을 포함하는 제2광펄스군(f2); 및상기 광매질(10)의 에너지 준위 |1003e#과 |3003e# 사이에서 공진하는 위상반전광2(R2)와 상기 광매질(10)의 에너지 준위 |2003e#와 |3003e# 사이에서 공진하는 제2조절광(B2)을 포함하는 제3광펄스군(f3); 을 포함하는 것을 특징으로 하는 이중위상반전과 원자결맞음 위상조절에 기초한 양자메모리
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 최종출력광(E2)은,위상반전광1(R1) 및 위상반전광2(R2)를 통한 이중위상반전으로 생성되는 것을 특징으로 하는 이중위상반전과 원자결맞음 위상조절에 기초한 양자메모리
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 최종출력광(E2)는,입력광(D), 위상반전광1(R1), 위상반전광2(R2), 제1조절광(B1) 및 제2조절광(B2) 간의 연산을 통해 이루어지는 위상맞음조건에 만족하는 것을 특징으로 하는 이중위상반전과 원자결맞음 위상조절에 기초한 양자메모리
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서,상기 위상맞음조건은 다음의 [수식 1] 및 [수식 2]를 통해 산출되는 것을 특징으로 하는 이중위상반전과 원자결맞음 위상조절에 기초한 양자메모리
|
| 8 |
8
제 3항에 있어서,상기 제2광펄스군(f2)는,상기 제1광펄스군(f1)의 위상반전광1(R1) 펄스에 의해 들뜬 원자들을 에너지 준위 |2003e#로 전이시키는 제1조절광(B1)과 에너지 준위 |2003e#에서 |3003e#으로 전이시키는 제2조절광(B2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중위상반전과 원자결맞음 위상조절에 기초한 양자메모리
|
| 9 |
9
제 3항에 있어서,상기 입력광(D)은,하나 또는 복수개의 펄스로 구성되는 것을 특징으로 하는 이중위상반전과 원자결맞음 위상조절에 기초한 양자메모리
|
| 10 |
10
이중위상반전과 원자결맞음 위상조절에 기초한 양자메모리의 이중위상반전된 포톤에코 방법에 있어서,(a) 입력광(D)이 광매질(10)로 입사하여 위상격자(광결맞음)를 만드는 단계;(b) 위상반전광1(R1)이 상기 광매질(10)로 입사하여 상기 위상격자의 위상전개를 거꾸로 하는 단계;(c) 제1조절광(B1)이 상기 광매질(10)로 입사하여 상기 위상격자를 스핀위상격자(스핀결맞음)으로 치환하는 단계;(d) 제2조절광(B2)이 상기 광매질(10)로 입사하여 스핀결맞음을 광결맞음으로 되돌리는 단계;(e) 세 개의 에너지 준위를 갖는 광매질에 입사되는 광펄스 사이에 상호작용으로, 동일한 π-펄스를 갖는 제1조절광(B1)과 제2조절광(B2)을 통해 원자결맞음의 위상이득이 π가 되고 위상반전광1(R1)에 의한 위상이득 π와 함께 2π의 위상전이를 갖게되어, 위상맞음조건을 만족하는 흡수특성의 출력광(E1)이 생성되는 단계; 및(f) 위상반전광2(R2)를 통해 상기 위상맞음조건에 따른 원자결맞음의 위상차 3π인 방출특성을 갖는 최종출력광(E2)이 생성되는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중위상반전과 원자결맞음 위상조절에 기초한 양자메모리의 이중위상반전된 포톤에코 방법
|
