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기판 상에 구비된 게이트; 상기 게이트를 덮도록 구비된 게이트절연층; 상기 게이트절연층 상에 구비된 채널층; 상기 채널층의 제1 및 제2 영역에 각각 연결된 소오스 및 드레인; 그리고 측면 입사광(lateral incident light)을 차단하기 위한 것으로, 상기 채널층의 적어도 일부를 둘러싸는 구조를 갖는 광차단 부재;를 포함하는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 광차단 부재는 상기 채널층 주위의 상기 게이트절연층 내에 구비된 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 광차단 부재는 상기 소오스 및 드레인에 연결된 트랜지스터
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제 3 항에 있어서, 상기 광차단 부재는, 상기 소오스의 하면에 접촉된 제1 부재; 및 상기 드레인의 하면에 접촉된 제2 부재;를 포함하는 트랜지스터
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제 3 항에 있어서, 상기 소오스는 상기 채널층의 일단에 접촉하면서 그에 인접한 게이트절연층 영역으로 확장된 구조를 갖고, 상기 드레인은 상기 채널층의 타단에 접촉하면서 그에 인접한 게이트절연층 영역으로 확장된 구조를 가지며, 상기 광차단 부재는 상기 소오스의 확장부 하면에 접촉된 제1 부재; 및 상기 제1 부재와 이격된 것으로 상기 드레인의 확장부 하면에 접촉된 제2 부재;를 포함하는 트랜지스터
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제 5 항에 있어서, 상기 제1 부재는 상기 채널층의 일단에 대응하는 제1 측면을 가리는 제1 부분 및 상기 제1 부분의 일단으로부터 상기 채널층의 다른 일부를 가리도록 연장된 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부재는 상기 채널층의 타단에 대응하는 제2 측면을 가리는 제1 부분 및 상기 제1 부분의 일단으로부터 상기 채널층의 다른 일부를 가리도록 연장된 제2 부분을 포함하며, 상기 제1 부재의 제2 부분과 상기 제2 부재의 제2 부분은 상기 채널층의 서로 다른 쪽에 배치된 트랜지스터
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제 5 항에 있어서, 상기 제1 부재는 상기 채널층의 일단에 대응하는 제1 측면을 가리는 제1 부분 및 상기 제1 부분의 양단으로부터 상기 채널층의 다른 일부를 가리도록 연장된 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부재는 상기 채널층의 타단에 대응하는 제2 측면을 가리는 제1 부분 및 상기 제1 부분의 양단으로부터 상기 채널층의 다른 일부를 가리도록 연장된 제2 부분을 포함하며, 상기 제1 부재의 제2 부분과 상기 제2 부재의 제2 부분은 서로 이격된 트랜지스터
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제 5 항에 있어서, 상기 게이트는 상기 제1 부재와 상기 제2 부재 사이로 연장된 구조를 갖는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 광차단 부재는 상기 소오스 및 드레인으로부터 분리된 트랜지스터
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제 9 항에 있어서, 상기 광차단 부재의 헤드부는 상기 소오스 및 드레인과 동일 레벨에 구비된 트랜지스터
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제 9 항에 있어서, 상기 광차단 부재의 헤드부는 상기 소오스 및 드레인과 다른 레벨에 구비된 트랜지스터
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제 9 항에 있어서, 상기 광차단 부재는 상기 게이트로부터 분리된 트랜지스터
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제 9 항에 있어서, 상기 광차단 부재는 상기 게이트에 연결된 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트절연층 상에 상기 채널층을 덮는 층간절연층이 더 구비되고, 상기 광차단 부재는 상기 층간절연층과 상기 게이트절연층 내에 구비되는 트랜지스터
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15
제 14 항에 있어서, 상기 광차단 부재는 상기 층간절연층 위로 돌출된 구조를 갖는 트랜지스터
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제 14 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인은 상기 층간절연층 상에 구비되고, 상기 층간절연층 내에 상기 소오스와 상기 채널층을 연결하는 제1 플러그 및 상기 드레인과 상기 채널층을 연결하는 제2 플러그가 더 구비되는 트랜지스터
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17
제 14 항에 있어서, 상기 광차단 부재는 상기 소오스 및 드레인으로부터 분리된 트랜지스터
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제 14 항에 있어서, 상기 광차단 부재는 서로 이격된 제1 및 제2 부재를 포함하고, 상기 제1 부재는 상기 채널층의 일단에 대응하는 제1 측면을 가리는 제1 부분 및 상기 제1 부분의 일단으로부터 상기 채널층의 다른 일부를 가리도록 연장된 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 부재는 상기 채널층의 타단에 대응하는 제2 측면을 가리는 제1 부분 및 상기 제1 부분의 일단으로부터 상기 채널층의 다른 일부를 가리도록 연장된 제2 부분을 포함하며, 상기 제1 부재의 제2 부분과 상기 제2 부재의 제2 부분은 상기 채널층의 서로 다른 쪽에 배치된 트랜지스터
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제 18 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 중 적어도 하나는 상기 제1 부재와 상기 제2 부재 사이로 연장된 구조를 갖는 트랜지스터
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제 18 항에 있어서, 상기 게이트는 상기 제1 부재와 상기 제2 부재 사이로 연장된 구조를 갖는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 광차단 부재는 상기 채널층 전체를 둘러싸는 구조를 갖는 트랜지스터
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제 21 항에 있어서, 상기 광차단 부재는 상기 게이트에 접촉되고, 상기 소오스 및 드레인으로부터는 분리된 트랜지스터
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제 21 항에 있어서, 상기 게이트는 상기 채널층보다 넓은 폭을 갖고, 상기 광차단 부재는 상기 게이트의 가장자리에 접촉하면서 상기 채널층을 둘러싸는 구조를 갖는 트랜지스터
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제 21 항에 있어서, 상기 게이트절연층은 제1 게이트절연층이고, 상기 제1 게이트절연층 상에 상기 광차단 부재를 덮는 제2 게이트절연층이 더 구비되며, 상기 채널층, 소오스 및 드레인은 상기 제2 게이트절연층 상에 구비되는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 채널층은 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 채널층은 비산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트는 불투명한 물질로 형성된 트랜지스터
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청구항 1에 기재된 트랜지스터를 포함하는 평판표시장치
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제 28 항에 있어서, 상기 트랜지스터는 스위칭소자 또는 구동소자로 사용되는 평판표시장치
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