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실리콘 태양전지 Ag 전극용 무연 프릿을 이용한 Ag-Si간 계면구조 제어 방법

  • 기술번호 : KST2015157651
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 실리콘 태양전지에 있어서 전면전극과 실리콘 간의 계면 제어 방법 으로서, 상기 제어 방법은, Ag 분말과, Bi2O3, ZnO 또는 이들의 조합을 함유하는 무연 유리 프릿 분말을 포함하는 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 Ag-함유 전면전극을 포함하는 실리콘 태양전지에 있어서, 상기 Ag 분말 100 중량부에 대하여, 상기 Bi2O3 함량의 차이를 10 내지 15 중량부 범위로 조절하여 상기 태양전지의 실리콘과 전면전극 간의 계면 구조를 제어하는 것, 또는, 상기 Ag 분말 100 중량부에 대하여, 상기 ZnO 함량의 차이를 2 내지 6 중량부 범위로 조절하여 상기 태양전지의 실리콘 내로 Ag의 침투 깊이를 제어하는 것을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020110017561 (2011.02.28)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0097961 (2012.09.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형순 대한민국 서울특별시 강남구
2 김동선 대한민국 인천광역시 남구
3 김종우 대한민국 경상북도 김천시
4 황성진 대한민국 경상남도 진주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0142183-05
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.02.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0107000-38
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0107024-23
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0042345-15
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0520459-83
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0880472-74
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0982729-72
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0982733-55
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0201885-16
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0485422-26
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0485423-72
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0531621-76
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0938796-89
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0938795-33
16 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0749150-74
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0014902-08
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ag 분말과, Bi2O3, ZnO 또는 이들의 조합을 함유하는 무연 유리 프릿 분말을 포함하는 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 Ag-함유 전면전극을 포함하는 실리콘 태양전지에 있어서, 상기 Ag 분말 100 중량부에 대하여, 상기 Bi2O3 함량의 차이를 10 내지 15 중량부 범위로 조절하여 상기 태양전지의 실리콘과 전면전극 간의 계면 구조를 제어하는 것, 또는, 상기 Ag 분말 100 중량부에 대하여, 상기 ZnO 함량의 차이를 2 내지 6 중량부 범위로 조절하여 상기 태양전지의 실리콘 내로 Ag의 침투 깊이를 제어하는 것을 포함하는,실리콘 태양전지에 있어서 전면전극과 실리콘 간의 계면 제어 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 무연 유리 프릿 분말은 B2O3, Al2O3, BaCO3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 것을 1 내지 15 중량부 추가 포함하는 것인, 실리콘 태양전지에 있어서 전면전극과 실리콘 간의 계면 제어 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 무연 유리 프릿 분말의 평균입경이 1 내지 10 ㎛인, 실리콘 태양전지에 있어서 전면전극과 실리콘 간의 계면 제어 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 반도체는 단결정 또는 다결정 실리콘 반도체를 포함하는 것인, 실리콘 태양전지에 있어서 전면전극과 실리콘 간의 계면 제어 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 태양전지는, 실리콘 반도체 기판; 상기 기판 상부에 형성되는 에미터층; 상기 에미터층 상에 형성된 실리콘질화물(silicon nitride)-함유 반사방지막; 상기 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층에 접속된 전면 전극; 및, 상기 기판의 배면에 접속된 후면 전극을 포함하며, 상기 Ag 분말 100 중량부에 대하여, 상기 Bi2O3 함량의 차이를 10 내지 15 중량부 범위로 조절하여 상기 태양전지의 실리콘과 전면전극 간의 계면 구조를, Ag 재결정(recrystallines) 또는 Ag 전극/SiNx/Si의 계면구조, 또는, Ag 전극/유리/Ag 재결정/Si의 계면구조 형태로 형성하도록 하는 것인, 실리콘 태양전지에 있어서 전면전극과 실리콘 간의 계면 제어 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 인하대학교 산헉협력단 신재생에너지인력양성 태양전지용 전극 및 실링재의 무연 프릿 연구