| 1 |
1
소스 단과 드레인 단 사이에 임프린팅 공정을 이용하여 형성된 역 원뿔형상의 다수의 컨택부들을 갖는 플랙서블 기판 또는 유리 기판;상기 플랙서블 기판 또는 상기 유리 기반 상부에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 유전체 박막;상기 다수의 컨택부들 각각에 형성된 유전체 박막 상에 형성된 씨드 박막; 및상기 씨드 박막 상에 네트워크 형태로 얽혀진 미세 나노선으로 구성된 나노 로드를 포함하는 나노 로드를 포함하는 나노 기반 트랜지스터
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 컨택부는,하부면이 절연체 및 씨드박막을 구비하는 것을 특징으로 하는 나노 기반 트랜지스터
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 씨드박막은,산화아연(ZnO)인 것을 특징으로 나노 기반 트랜지스터
|
| 4 |
4
고농도 P형 도펀트가 도핑된 기판을 제공하는 단계상기 기판에 건식 및 습식 공정을 거쳐 역 원뿔형상의 다수의 컨택부들을 형성하는 단계;상기 기판 상에 유전체 박막을 형성하는 단계;상기 다수의 컨택부들이 형성된 유전체 박막 상에 씨드 박막을 형성하는 단계; 및상기 씨드 박막 상에 네크워크 형태로 성장된 다수의 미세 나노선들을 포함하는 나노 로드를 성장시키는 단계를 포함하는 나노 기반 트랜지스터 제조 방법
|
| 5 |
5
플랙서블 기판 또는 유리 기판을 제공하는 단계;상기 기판에 template을 형성한 후, PDMS 또는 에폭시 등을 임프린팅(Imprinting) 공정을 통하여 역 원뿔형상의 다수 컨택부들을 형성하는 단계;상기 기판 상부에 게이트 전극(예컨대, 금속 및 산화물 반도체)을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 유전체 박막을 화학적, 물리적 기상 증착방법을 통하여 증착하는 단계;상기 다수의 컨택부들 각각에 형성된 유전체 박막 상에 씨드 박막을 형성하는 단계; 및상기 씨드 박막 상에 미세 나노선를 네트워크 형태로 성장시키는 단계를 포함하는 나노 기반 트랜지스터 제조 방법
|
| 6 |
6
제4항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 씨드 박막은,산화아연(ZnO)인 것을 특징으로 하는 나노 기반 트랜지스터 제조 방법
|
| 7 |
7
제4항에 있어서,상기 기판은,실리콘(Si) 기판, 저마늄(Ge) 기판, 질화갈륨(GaN) 기판, 질화알루미늄(AlN)기판 , 인화갈륨(GaP) 기판, 인화인듐(InP) 기판, 갈륨 비소(GaAs) 기판, 실리콘 카바이드(SiC) 기판, 유리, 석영(Quartz) 기판, 산화실리콘/실리콘(SiO2/Si) 기판, 산화알루미늄(Al2O3) 기판, 산화 리튬알루미늄(LiAlO3) 기판과 산화 마그네슘(MgO) 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 기반 트랜지스터 제조 방법
|
