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산화아연 막이 코팅된 실리콘 나노와이어의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 산화아연 막이 코팅된 실리콘 나노와이어

  • 기술번호 : KST2015157785
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연 막이 코팅된 실리콘 나노와이어의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 산화아연 막이 코팅된 실리콘 나노와이어에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 실리콘(Si) 기판에 금속을 이용한 무전해 식각공정을 통하여 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 실리콘 나노와이어에 산화아연(ZnO)을 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에 의하여 산화아연 막이 코팅된 실리콘 나노와이어를 열처리하는 단계(단계 3)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화아연 막이 코팅된 실리콘 나노와이어의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 실리콘 나노와이어를 제공한다. 본 발명에 의해 제조된 산화아연 막이 코팅된 실리콘 나노와이어는 기존의 실리콘 나노와이어에 비하여 보다 향상된 발광특성을 나타내며, 이로 인하여 제품의 신뢰성 및 수명을 개선함으로써 상기 실리콘 나노와이어를 이용하여 전자소자 및 광전자 소자를 제작할 경우 성능 및 수명이 더욱 향상된 소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020110011033 (2011.02.08)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1294317-0000 (2013.08.01)
공개번호/일자 10-2012-0090549 (2012.08.17) 문서열기
공고번호/일자 (20130807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종무 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 진창현 대한민국 인천광역시 남구
3 이정근 대한민국 경기도 시흥시 문화마
4 김현수 대한민국 경기도 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0089005-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0087319-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0064480-68
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0172412-83
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0172411-37
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0527766-03
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘(Si) 기판에 금속을 이용한 무전해 식각공정을 통하여 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 실리콘 나노와이어에 산화아연(ZnO)을 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에 의하여 산화아연 막이 코팅된 실리콘 나노와이어를 산소분위기에서 열처리하는 단계(단계 3)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화아연 막이 코팅되어 보라색 발광 효율이 향상된 실리콘 나노와이어의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 금속을 이용한 무전해 식각공정은 질산에 담근 은(Ag)을 사용하는 것을 특징으로 하는 산화아연 막이 코팅되어 보라색 발광 효율이 향상된 실리콘 나노와이어의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 산화아연 코팅은 화학기상 증착법, 원자 층 증착법 및 스퍼터링 법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 방법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연 막이 코팅되어 보라색 발광 효율이 향상된 실리콘 나노와이어의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 3의 산소분위기에서 열처리는 400 내지 700 ℃의 온도범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연 막이 코팅되어 보라색 발광 효율이 향상된 실리콘 나노와이어의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 실리콘 나노와이어에 코팅된 산화아연 막의 두께는 2 내지 10 nm인 것을 특징으로 하는 산화아연 막이 코팅되어 보라색 발광 효율이 향상된 실리콘 나노와이어의 제조방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 인하대학교 산학협력단 나노다공성 도약연구 나노다공성 실리콘 기반 차세대 암진단 및 치료기술