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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 박막 트랜지스터를 구비한 평판 표시 장치

  • 기술번호 : KST2015157796
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 박막 트랜지스터를 구비한 평판 표시 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 기판, 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극을 포함하는 상기 기판의 상부에 형성된 게이트 절연층, 게이트 절연층 상에서 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하고 티타늄인듐주석산화물(TiInSnO)을 포함하는 산화물 반도체층, 소스 영역에 형성된 소스 전극 및 드레인 영역에 형성된 드레인 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020110002342 (2011.01.10)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1269723-0000 (2013.05.24)
공개번호/일자 10-2012-0080883 (2012.07.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130530) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정재경 대한민국 인천광역시 남구
2 김지인 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 비엘에스 주식회사 경기도 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0018412-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0097698-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0006297-25
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0177955-89
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0177952-42
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0456484-44
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2012.09.05 수리 (Accepted) 7-1-2012-0041526-01
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.10.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0814447-16
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0814445-25
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0638513-05
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0981250-02
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0981249-55
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0224920-65
15 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0434981-18
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판의 상부에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에서 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하고, 자유전자 생성을 억제하는 티타늄(Ti) 타겟이 포함된 티타늄인듐주석산화물(TiInSnO)을 포함하는 산화물 반도체층;상기 소스 영역에 형성된 소스 전극; 및상기 드레인 영역에 형성된 드레인 전극을 포함하고,상기 티타늄인듐주석산화물(TiInSnO)은,상기 티타늄(Ti) 타겟이 0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 10㎚ 내지 200㎚의 두께를 갖는 박막 트랜지스터
4 4
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함하는 상부에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하고, 자유전자 생성을 억제하는 티타늄(Ti) 타겟이 포함된 티타늄인듐주석산화물(TiInSnO)을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 소스 영역 상에 소스 전극을 형성하고, 상기 드레인 영역 상에 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 티타늄(Ti) 타겟을 0
5 5
제4항에 있어서, 상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는, 인듐주석산화물(ITO) 타겟 및 티타늄(Ti) 타겟을 동시 스퍼터링하여 상기 게이트 절연층 상에 상기 티타늄인듐주석산화물(TiInSnO)을 증착하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서, 상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 게이트 절연층 상에 증착된 상기 티타늄인듐주석산화물(TiInSnO)을 200℃ 내지 500℃에서 어닐링(annealing) 처리하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 인듐주석산화물(ITO) 타겟 및 티타늄(Ti) 타겟을 100W의 DC 또는 RF 파워로 상기 동시 스퍼터링하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제4항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계는, 상기 산화물 반도체층 상의 보호층을 형성하는 단계상기 산화물 반도체층의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역이 노출되도록 상기 보호층을 식각하는 단계; 상기 노출된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 상기 보호층 상에 도전성 물질을 형성하는 단계; 및상기 도전성 물질을 패터닝하여 상기 소스 영역에 상기 소스 전극을 형성하고, 상기 드레인 영역에 상기 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
10 10
복수의 제1 도전 라인 및 복수의 제2 도전 라인에 의해 복수의 화소가 정의되고, 상기 복수의 화소 각각에 공급되는 신호를 제어하는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극이 형성된 제1 기판;제2 전극이 형성된 제2 기판; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 밀폐된 공간에 주입된 액정층을 포함하고, 상기 박막 트랜지스터는,상기 제1 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 상부에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 형성되어 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하고, 자유전자 생성을 억제하는 티타늄(Ti) 타겟이 포함된 티타늄인듐주석산화물(TiInSnO)을 포함하는 산화물 반도체층; 상기 소스 영역 상에 형성된 소스 전극; 및상기 드레인 영역 상에 형성된 드레인 전극을 포함하고, 상기 티타늄인듐주석산화물(TiInSnO)은,상기 티타늄(Ti) 타겟이 0
11 11
삭제
12 12
제10항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 10㎚ 내지 200㎚의 두께를 갖는, 박막 트랜지스터를 구비한 평판 표시 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.