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산화구리(Ⅱ) 나노막대가 중심부에 위치하고, 상기 중심부의 외주면에 팔라듐(Pd)이 코팅된 것을 특징으로 황화수소 검출용 가스센서에 사용되는, 팔라듐이 코팅된 산화구리(Ⅱ) 나노막대
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제1항에 있어서, 상기 팔라듐 코팅층의 두께는 25 ~ 35 nm 인 것을 특징으로 하는 팔라듐이 코팅된 산화구리(Ⅱ) 나노막대
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기판; 절연층; 제1항의 팔라듐이 코팅된 산화구리(Ⅱ) 나노막대 및 전극의 순서대로 적층된 가스센서
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제3항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판, 도전성 기판 및 비전도성 기판으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 가스센서
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제3항에 있어서, 상기 절연층은 이산화규소(SiO2), 산화알루미륨(Al2O3), 산화탄탈륨(Ta2O5), 산화지르코늄(ZrO2), 이산화하프늄(HfO2), 이산화타이타늄(TiO2), 산화질화규소(SiON), 질화규소(Si3N4), 하프늄 실리콘 옥시나이트라이드(HfSiON), 및 하프늄실리케이트(HfSiXOY, 이때 0
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동박을 원료로 산화구리(Ⅱ) 나노막대를 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 산화구리(Ⅱ) 나노막대를 팔라듐 전구체 용액에 넣고 자외선을 조사하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 제조된 팔라듐이 코팅된 산화구리(Ⅱ) 나노막대를 열처리하는 단계;(단계 3)를 포함하는 팔라듐이 코팅된 산화구리(Ⅱ) 나노막대의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 단계 1은 대기 분위기에서 450 ~ 550 ℃ 및 4 ~ 5 시간 동안 동박을 열산화시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 팔라듐이 코팅된 산화구리(Ⅱ) 나노막대의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 단계 2의 팔라듐 전구체 용액은 에탄올과 팔라듐 전구체를 900 ~ 1000 : 0
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제8항에 있어서, 상기 단계 2의 팔라듐 전구체는 Pd(NO3)2, PdSO4, Pd(NH4)2Cl4, PdCl2, K2PdCl4, Na2PdCl4 및 Pd(OOCH2CH3)2를 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 팔라듐이 코팅된 산화구리(Ⅱ) 나노막대의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 단계 2의 자외선 조사는 300 ~ 420 nm 파장의 빛을 3 ~ 4분간 100 W로 조사하는 것을 특징으로 하는 팔라듐이 코팅된 산화구리(Ⅱ) 나노막대의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 단계 3의 열처리는 비활성기체 분위기에서 450 ~ 500 ℃ 및 1 ~ 2 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 팔라듐이 코팅된 산화구리(Ⅱ) 나노막대의 제조방법
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