1 |
1
다층형 나노발전기에 있어서, 기판; 상기 기판 위에 형성되는 하부전극층; 상기 하부전극층 위에 형성되는 제 1 시드층(seed layer); 상기 제 1 시드층으로부터 수직 방향으로 성장된 복수의 나노와이어를 포함하는 제 1 나노와이어층; 상기 제 1 나노와이어층 위에 형성되는 제 1 상부전극층; 상기 제 1 상부전극층 위에 형성되는 제 2 시드층; 상기 제 2 시드층으로부터 수직 방향으로 성장된 복수의 나노와이어를 포함하는 제 2 나노와이어층; 및 상기 제 2 나노와이어층 위에 형성되는 제 2 상부전극층이 차례로 적층된 형태의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 다층형 나노발전기
|
2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 기판은 유리나 실리콘으로 이루어지거나, 또는, PET로 이루어지는 플렉서블 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 다층형 나노발전기
|
3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 하부전극층은 ITO(Indium Thin Oxide)를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다층형 나노발전기
|
4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 제 1 시드층 및 제 2 시드층은 AZO(Aluminium doped ZnO)를 포함하는 아연 산화물(Zinc Oxide)을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다층형 나노발전기
|
5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 제 1 상부전극층 및 상기 제 2 상부전극층은 Au 또는 Al을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다층형 나노발전기
|
6 |
6
청구항 1항 내지 5항 중 어느 한 항에 기재된 다층형 나노발전기의 제조방법에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 하부전극층을 형성하는 단계; 상기 하부전극층 위에 제 1 시드층을 형성하는 단계; 상기 제 1 시드층으로부터 수직 방향으로 나노와이어를 성장시켜 제 1 나노와이어층을 형성하는 단계; 상기 제 1 나노와이어층 위에 제 1 상부전극층을 형성하는 단계; 상기 제 1 상부전극층 위에 제 2 시드층을 형성하는 단계; 상기 제 2 시드층으로부터 수직 방향으로 나노와이어를 성장시켜 제 2 나노와이어층을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 나노와이어층 위에 제 2 상부전극층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 다층형 나노발전기의 제조방법
|
7 |
7
제 6항에 있어서, 상기 기판은 유리나 실리콘으로 이루어지거나, 또는, PET로 이루어지는 플렉서블 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 다층형 나노발전기의 제조방법
|
8 |
8
제 6항에 있어서, 상기 하부전극층은 ITO(Indium Thin Oxide)를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다층형 나노발전기의 제조방법
|
9 |
9
제 6항에 있어서, 상기 제 1 시드층 및 제 2 시드층은 AZO(Aluminium doped ZnO)를 포함하는 아연 산화물(Zinc Oxide)을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다층형 나노발전기의 제조방법
|
10 |
10
제 6항에 있어서, 상기 제 1 상부전극층 및 상기 제 2 상부전극층은 Au 또는 Al을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다층형 나노발전기의 제조방법
|