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기판 상에 차례로 하부 전극층, 반강자성층, 기준층, 절연층, 자유층, 및 상부 전극층을 적층하는 단계;상기 하부 전극층, 상기 반강자성층, 상기 기준층, 상기 절연층, 상기 자유층, 및 상기 상부 전극층을 연속적으로 패터닝하여 장축 방향과 상기 장축 방향에 수직인 단축 방향으로 정의되는 평면에 예비 자기 터널 접합 패턴을 형성하는 단계;상기 형성된 예비 터널 접합 패턴 사이에 절연체를 채우고 평탄화하는 단계; 및상기 평탄화된 절연체 상에 상기 장축 방향을 가로지르는 절단 패턴을 형성하고, 상기 절단 패턴을 마스크로 하여 상기 예비 터널 접합 패턴의 상기 상부 전극층 및 상기 자유층의 일부를 제거하여 자기 터널 접합 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 절단 패턴을 마스크로 하여 상기 예비 터널 접합 패턴의 상기 절연층, 상기 기준층, 상기 반강자성층, 및 상기 하부 전극층을 연속적으로 식각하는 단계를 더 포함하고,상기 자기 터널 접합 패턴의 상기 자유층의 측면은 상기 식각된 절연층, 상기 식각된 기준층, 상기 식각된 반강자성층, 및 상기 식각된 하부 전극층의 측면과 정렬되는 것을 특징으로 하는 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 예비 자기 터널 접합 패턴은 타원 형상 또는 곡선 처리된 모서리를 가지는 직사각형 형상인 것을 특징으로 하는 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 터널 접합 패턴의 상기 자유층은 상기 장축 방향을 가로지르는 방향으로 절단된 직선 부위를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리의 제조 방법
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자기 터널 접합(magnetic tunnel junction)을 포함하는 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리에 있어서,상기 자기 터널 접합은:반도체 기판 상에 배치된 반강자성층;상기 반강자성층 상에 배치된 기준층; 상기 기준층 상에 배치된 절연층; 및상기 절연층 상에 배치된 자유층을 포함하고,상기 자유층은 장축 방향과 상기 장축 방향에 수직인 단축 방향으로 정의되는 평면에 배치되고, 상기 자유층의 일부는 비전도성 물질로 도핑되는것을 특징으로 하는 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리
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제 9 항에 있어서,상기 자유층의 일부는 타원 형상의 장축을 가로질러 분할된 부위 또는 곡선 처리된 모서리를 가지는 직사각형 형상의 장축을 가로질러 절단된 부위이고,상기 비전도성 물질은 산소 또는 질소인 것을 특징으로 하는 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리
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