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열플라즈마를 이용한 그래핀의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015158012
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열플라즈마를 이용한 그래핀의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로 그래핀 제작 방법에 열플라즈마 발생가스로서 아르곤과 함께 수소를 주입하여 플라즈마의 양단에 걸리는 전압이 증가시켜 고순도 극소층 그래핀(Few layer graphene)을 합성하는 방법을 제공함으로써 후처리공정 및 촉매로 사용되는 금속나노분말을 사용하지 않는 고품질 그래핀을 생산하는 방법을 제공하므로 유용하게 이용할 수 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) B01J 19/12 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020120156450 (2012.12.28)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1415175-0000 (2014.06.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140704) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박동화 대한민국 서울 서초구
2 김태희 대한민국 경기 부천시 소사구
3 백종준 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1090737-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.16 수리 (Accepted) 9-1-2014-0006026-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0119642-71
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0334644-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0334645-04
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0426232-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
i) 플라즈마 토치와 기판이 구비된 반응기에서 플라즈마 토치로 열을 가하면서, 메탄가스(CH4) 및 수소가스를 플라즈마 토치 노즐 내부의 제 1 경로를 통해 반응기로 주입하는 단계;ii) 상기 단계 i)의 반응기에서 아르곤가스(Ar) 및 수소가스를 상기 플라즈마 토치 노즐 내부의 제 2 경로를 통해 반응기로 주입하여, 열 플라즈마를 생성시키는 단계를 포함하는,열플라즈마를 이용한 그래핀의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 단계 i)의 반응기에서 플라즈마 토치 및 기판의 거리는 14 ㎝인 것을 특징으로 하는, 열플라즈마를 이용한 그래핀의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 단계 i)의 수소가스의 유량은 1
4 4
제 1항에 있어서, 상기 단계 ii)의 수소가스의 유량은 1
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 단계 2)의 기판은 흑연기판, 실리콘기판, 전이금속기판, 및 복합재료기판으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 열플라즈마를 이용한 그래핀 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술진흥원 준정부기관 지역혁신센터(RIC) 2012년도 열플라즈마환경기술연구센터 사업(정부 및 산업체지원금) 박동화