| 1 |
1
기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극의 상부에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 형성된 채널층;상기 채널층의 소스 영역과 전기적으로 연결되고, 구리(Cu)를 포함하는 소스 전극;상기 채널층의 드레인 영역과 전기적으로 연결되고, 구리(Cu)를 포함하는 드레인 전극; 및각각의 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 채널층 사이에서 구리(Cu)의 확산을 막기 위한 구리 확산 방지층을 포함하고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각은구리(Cu) 전극;상기 구리 전극의 상부에 형성된 알루미늄(Al) 전극; 및상기 구리 전극과 상기 알루미늄 전극 사이에 위치하는 탄틸륨(Ta) 전극을 포함하며,상기 구리 확산 방지층은,탄틸륨(Ta)을 포함하는 특징으로 하는 트랜지스터
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 구리 확산 방지층은,상기 채널층의 일단에 접촉하면서 그에 인접한 게이트 절연층으로 확장된 구조를 가지는 트랜지스터
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 채널층은,인듐갈륨아연산화물(InGaZnO), 아연주석산화물(ZnSnO), 인듐주석산화물(InSnO), 인듐아연산화물(InZnO), 하프늄인듐아연산화물(HfInZnO), 지르코늄아연주석산화물(ZrZnSnO), 하프늄아연주석산화물(HfZnSnO) 중 어느 하나를 포함하는 트랜지스터
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1항에 기재된 트랜지스터를 포함하는 전자 소자
|
| 9 |
9
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 상부에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층 상에 구리(Cu)의 확산을 방지하기 위한 구리 확산 방지층을 형성하는 단계; 및상기 구리 확산 방지층 상에 구리(Cu)를 포함하는 소스 전극 및 구리(Cu)를 포함하는 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각은구리(Cu) 전극;상기 구리 전극의 상부에 형성된 알루미늄(Al) 전극; 및상기 구리 전극과 상기 알루미늄 전극 사이에 위치하는 탄틸륨(Ta) 전극을 포함하며,상기 구리 확산 방지층은,탄틸륨(Ta)을 포함하는 특징으로 하는 트랜지스터 제조 방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는,인듐갈륨아연산화물(InGaZnO), 아연주석산화물(ZnSnO), 인듐주석산화물(InSnO), 인듐아연산화물(InZnO), 하프늄인듐아연산화물(HfInZnO), 지르코늄아연주석산화물(ZrZnSnO), 하프늄아연주석산화물(HfZnSnO) 중 어느 하나를 포함하는 물질을 증착하는 트랜지스터 제조 방법
|
| 13 |
13
제9항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는,인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 및 갈륨(Ga) 중 적어도 두 개 이상의 금속 타겟을 동시 스퍼터링하여 상기 게이트 절연층 상에 이성분계, 삼성분계 또는 사성분계의 금속 산화물 반도체 물질을 증착하는 트랜지스터 제조 방법
|
