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기판; 및상기 기판 표면에 구비되는 다결정 실리콘 카바이드(SiC) 후막;을 포함하는 발광다이오드(LED)용 방열기판
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제1항에 있어서, 상기 기판은 알루미늄, 마그네슘, 및 이의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속 기판인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 방열기판
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제1항에 있어서, 상기 기판은 에스오아이(Silicon On Insulator, SOI) 기판인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 방열기판
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제1항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 카바이드 후막의 두께는 200 내지 600 μm인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 방열기판
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제1항에 있어서, 상기 방열기판은 발광다이오드의 패키징을 위한 기판인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 방열기판
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제1항에 있어서, 상기 방열기판은 상기 다결정 실리콘 카바이드 후막을 관통하는 관통전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 방열기판
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금속 기판 또는 에스오아이(Silicon On Insulator, SOI) 기판 상에 실리콘 카바이드를 증착시키는 단계를 포함하는 발광다이오드용 방열기판의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드의 증착은 상압화학기상증착(AP-CVD), 저압화학기상증착(LP-CVD), 플라즈마화학기상증착(PECVD), 및 유기금속화학기상증착(MOCVD)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 화학기상증착 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 방열기판의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드는 200 내지 600 μm의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 방열기판의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 제조방법은 증착된 실리콘 카바이드를 관통하는 관통전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 방열기판의 제조방법
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