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산화티타늄(TiO2) 분말과 산화납(PbO) 분말로부터 티탄산납(PbTiO3) 분말을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 티탄산납 분말을 이용하여 원하는 기판 상에 상온분말분사법으로 코팅하여 핵생성층을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 수열합성법으로 핵생성층으로부터 티탄산납 후막을 성장시키는 단계(단계 3);를 포함하는 다결정 티탄산납 후막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 1은 볼밀에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 다결정 티탄산납 후막의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 볼밀 후 건조 및 하소하고 이를 체로 걸러내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 티탄산납 후막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 2의 기판은 백금, 금, 은, 니켈, 구리, 티타늄, 마그네슘 및 철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 기판인 것을 특징으로 하는 다결정 티탄산납 후막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 2의 기판은 세라믹 위에 백금, 금, 은, 니켈, 구리, 티타늄, 마그네슘 및 철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속을 코팅한 기판인 것을 특징으로 하는 다결정 티탄산납 후막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 단계 2 이후에 상기 단계 2에서 형성된 핵생성층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 티탄산납 후막의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 열처리는 400 ℃ 내지 800 ℃ 의 온도로 수행되는 것을 특징으로 하는 다결정 티탄산납 후막의 제조방법
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