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알루미늄(Al) 기재를 산성용액으로 식각하여 표면에 마이크로 테라스 구조를 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 마이크로 테라스 구조가 표면에 형성된 알루미늄(Al) 기재를 불화나트륨(NaF), 염화나트륨(NaCl) 및 브롬화나트륨(NaBr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 할로겐화 염이 용해된 수용액으로 처리하여 마이크로 테라스 구조상에 나노 잎 구조가 유도된 계층구조를 형성하는 단계(단계 2);를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 알루미늄 기재 표면의 가공방법
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알루미늄(Al) 기재를 산성용액으로 식각하여 표면에 마이크로 테라스 구조를 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 마이크로 테라스 구조가 표면에 형성된 알루미늄(Al) 기재를 불화나트륨(NaF), 염화나트륨(NaCl) 및 브롬화나트륨(NaBr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 할로겐화 염이 용해된 수용액으로 처리하여 마이크로 테라스 구조상에 나노 잎 구조가 유도된 계층구조를 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2는 알루미늄(Al) 기재 표면을 불소계 화합물로 표면개질하는 단계(단계 3);를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 알루미늄 기재 표면의 가공방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 1의 산성용액은 불소산, 염산, 브롬산 또는 이들의 2 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 초소수성 알루미늄 기재 표면의 가공방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 1의 산화처리는 5초 내지 15초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 초소수성 알루미늄 기재 표면의 가공방법
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삭제
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 2의 잎 구조 유도는 10분 이상 수행되는 것을 특징으로 하는 초소수성 알루미늄 기재 표면의 가공방법
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7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 2의 잎 구조 유도는 10분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 초소수성 알루미늄 기재 표면의 가공방법
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8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 2에서 유도되는 잎 구조의 두께는 5 nm 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 초소수성 알루미늄 기재 표면의 가공방법
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9
제2항에 있어서,상기 단계 3의 불소계 화합물은 트라이클로로(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로옥틸)실란{trichloro(1H,1H,2H,2H-perfluorooctyl)silane}, 트리클로로(3,3,3-트라이플루오로프로필)실란{trichloro(3,3,3-trifluoropropyl)silane}, 트라이클로로(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실)실란{trichloro(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyl)silane}, 트라이플루오로프로필-트라이메톡시실란(trifluoropropyl-triethoxysilane), 트라이플루오로프로필-트라이에톡시실란(trifluoropropyl-triethoxysilane), 트라이데카플루오로옥틸-트라이메톡시실란(tridecafluorooctyl-trimethoxysilane), 트라이데카플루오로옥틸-트라이에톡시실란(tridecafluorooctyl-triethoxysilane), 헵타데카플루오로데실-트라이메톡시실란(heptadecagluorodecyl-trimethoxysilane) 및 헵타데카플루오로데실-트라이에톡시실란(heptadecafluorodecyl-triethoxysilane)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 초소수성 알루미늄 기재 표면의 가공방법
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제2항에 있어서,상기 단계 3은 불소계 화합물로 개질된 알루미늄(Al) 기재를 90℃ 내지 110℃에서 열처리하는 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 알루미늄 기재 표면의 가공방법
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제1항 또는 제2항의 초소수성 알루미늄 기재 표면의 가공방법에 의해 표면이 초소수화된 알루미늄 기재
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