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트랜지스터와 그 제조 방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015158055
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 트랜지스터와 그 제조 방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자 소자가 개시된다. 상기 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 상부에 형성되고, 지르코늄 옥사이드(ZrO2)를 포함하는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 형성된 채널층; 상기 채널층의 제1 영역에 연결된 소스 전극; 및 상기 채널층의 제2 영역에 연결된 드레인 전극을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01) H01L 29/4908(2013.01)
출원번호/일자 1020130021897 (2013.02.28)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1381549-0000 (2014.03.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140404) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정재경 대한민국 서울 강서구
2 손병근 대한민국 인천 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)디엔에프 대전광역시 대덕구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0181288-17
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0434981-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0097840-71
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0009071-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0046837-30
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0046836-95
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0209185-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극의 상부에 형성되고, 지르코늄 옥사이드(ZrO2)를 포함하는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 형성된 채널층;상기 채널층의 제1 영역에 연결된 소스 전극; 및상기 채널층의 제2 영역에 연결된 드레인 전극을 포함하고,상기 게이트 절연층은, 스핀 코팅(spin coating) 방법을 통해 형성되고,상기 스핀 코팅 방법은, 염화지르코늄 계열의 물질을 프리커서(precursor)로 이용하는 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 게이트 절연층은,복수의 코팅층들이 누적되어 형성된 트랜지스터
5 5
제1항에 기재된 트랜지스터를 포함하는 전자 소자
6 6
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 상부에 용액 공정을 통해 지르코늄 옥사이드를 포함하는 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 채널층을 형성하는 단계; 및상기 소스 영역 상에 소스 전극을 형성하고, 상기 드레인 영역 상에 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는, 스핀 코팅 방법을 통해 게이트 절연층을 형성하고,상기 스핀 코팅 방법은, 염화지르코늄 계열의 물질을 프리커서로 이용하는 트랜지스터 제조 방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제6항에 있어서,상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는,복수 번의 코팅층 형성을 통해 상기 게이트 절연층을 형성하는 트랜지스터 제조 방법
10 10
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 상부에 용액 공정을 통해 지르코늄 옥사이드를 포함하는 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 채널층을 형성하는 단계; 및상기 소스 영역 상에 소스 전극을 형성하고, 상기 드레인 영역 상에 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 게이트 절연층을 형성하는 단계는,지르코늄 옥사이드를 포함하는 제1 코팅층을 형성하는 단계;상기 제1 코팅층을 열처리하는 단계;상기 열처리된 제1 코팅층의 표면이 친수성이 되도록 표면처리하는 단계; 및상기 표면 처리된 제1 코팅층 상에 지르코늄 옥사이드를 포함하는 제2 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산업원천기술개발사업 150℃이하 인쇄기반 플렉서블 디스플레이 백플레인용 산화물 반도체, 절연체, 잉크 소재 및 공정 기술 개발