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구리(Cu) 기재를 할로겐 이온을 포함하는 수용액으로 식각하여 마이크로 테라스 구조를 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 마이크로 테라스 구조가 표면에 형성된 구리 기재를 과황산염 및 수산화기를 포함하는 수용액으로 처리하여 마이크로 테라스 구조상에 나노 잎 구조가 유도된 계층구조를 형성하는 단계(단계 2);를 포함하며,상기 할로겐 이온을 포함하는 수용액은 불화나트륨(NaF), 염화나트륨(NaCl) 및 브롬화나트륨(NaBr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 할로겐화 염이 용해된 수용액인 것을 특징으로 하는 초소수성 구리 기재 표면의 가공방법
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구리(Cu) 기재를 할로겐 이온을 포함하는 수용액으로 식각하여 마이크로 테라스 구조를 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 마이크로 테라스 구조가 표면에 형성된 구리 기재를 과황산염 및 수산화기를 포함하는 수용액으로 처리하여 마이크로 테라스 구조상에 나노 잎 구조가 유도된 계층구조를 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 구리 기재 표면을 불소계 화합물로 표면개질하는 단계(단계 3);를 포함하며,상기 할로겐 이온을 포함하는 수용액은 불화나트륨(NaF), 염화나트륨(NaCl) 및 브롬화나트륨(NaBr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 할로겐화 염이 용해된 수용액인 것을 특징으로 하는 초소수성 구리 기재 표면의 가공방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 1의 수행 전, 구리기재를 산성용액에 침지하여 구리 기재의 산화층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 구리 기재 표면의 가공방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 1의 식각은 90 내지 110 ℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 초소수성 구리 기재 표면의 가공방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 1의 식각은 15 내지 25시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 초소수성 구리 기재 표면의 가공방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 2의 과황산염을 포함하는 수용액은 과황산암모늄, 과황산나트륨 및 과황산칼륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 과황산염이 용해된 수용액인 것을 특징으로 하는 초소수성 구리 기재 표면의 가공방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 2의 수산화기를 포함하는 수용액은 NaOH 및 KOH로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 수산화기가 용해된 수용액인 것을 특징으로 하는 초소수성 구리 기재 표면의 가공방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 2의 잎 구조 유도는 5분 내지 25분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 초소수성 구리 기재 표면의 가공방법
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제2항에 있어서, 상기 단계 3의 불소계 화합물은 트라이클로로(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로옥틸)실란{trichloro(1H,1H,2H,2H-perfluorooctyl)silane}, 트리클로로(3,3,3-트라이플루오로프로필)실란{trichloro(3,3,3-trifluoropropyl)silane}, 트라이클로로(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실)실란{trichloro(1H,1H,2H,2Hperfluorodecyl)silane}, 트라이플루오로프로필-트라이메톡시실란(trifluoropropyl-triethoxysilane), 트라이플루오로프로필-트라이에톡시실란(trifluoropropyl-triethoxysilane), 트라이데카플루오로옥틸-트라이메톡시실란(tridecafluorooctyl-trimethoxysilane), 트라이데카플루오로옥틸-트라이에톡시실란(tridecafluorooctyl-triethoxysilane), 헵타데카플루오로데실-트라이메톡시실란(heptadecagluorodecyl-trimethoxysilane) 및 헵타데카플루오로데실-트라이에톡시실란(heptadecafluorodecyl-triethoxysilane)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 초소수성 구리 기재 표면의 가공방법
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제2항에 있어서,상기 단계 3의 수행 후, 불소계 화합물로 개질된 구리 기재를 190℃ 내지 210℃에서 0
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제1항 또는 제2항의 초소수성 구리 기재 표면의 가공방법에 의해 표면이 초소수화된 구리 기재
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