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도넛 모양의 홀 배열을 갖는 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015158100
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광다이오드의 n형 전극과 p형 전극 사이에서의 전류분포의 균일도(UNIFORMITY)를 개선하고, 발광다이오드의 내부 반사 및 재흡수 현상을 감소시킴으로써, 발광효율(LUMINOUS EFFICIENCY)을 더욱 향상시킬 수 있는 발광다이오드에 관한 것이다.이를 위해 본 발명은 베이스 기판(110)과, 상기 베이스 기판(110)의 상부에 형성되어 반도체의 p-n 접합구조를 이루며, 외부 전원과 연결되는 n형 전극패드(150)와 p형 전극패드(160)가 형성된 메인 기판층과, 상기 메인 기판층의 상부를 이루는 투명전극(170)을 포함하고, 상기 n형 전극패드(150)로부터 연장되는 n형 전극핑거(152)와 상기 p형 전극패드(160)로부터 연장되는 p형 전극핑거(162) 사이인 상기 투명전극(170)상에 도넛모양의 홀(400)이 다수 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드가 제공된다.
Int. CL H01L 33/36 (2010.01) H01L 33/38 (2010.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020130088770 (2013.07.26)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1462464-0000 (2014.11.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오범환 대한민국 인천 연수구
2 김양겸 대한민국 경기 부천시 원미구
3 이동진 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0678941-47
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0370211-83
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0709344-51
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0737714-42
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0737715-98
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0764550-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판;상기 베이스 기판의 상부에 형성되어 반도체의 p-n 접합구조를 이루며, 외부 전원과 연결되는 p형 전극패드와, n형 전극패드가 형성된 메인 기판층; 및상기 메인 기판층의 상부를 이루는 투명전극; 을 포함하고,상기 n형 전극패드로부터 연장되는 n형 전극핑거와 상기 p형 전극패드로부터 연장되는 p형 전극핑거 사이의 상기 투명전극에 도넛모양의 홀이 상기 p형 전극핑거에서 상기 n형 전극핑거로 갈수록 크기가 커지고, 간격이 좁아지는 형상으로 다수 형성되며,상기 도넛모양의 홀은,외경이 1 내지 10㎛이고, 내경이 상기 외경의 1/10 내지 1/2인 것을 특징으로 하는 도넛 모양의 홀 배열을 갖는 발광다이오드
2 2
청구항 1에 있어서,상기 메인 기판층은 상기 P형 전극패드가 연결된 p형 기판층;상기 n형 전극패드가 연결된 n형 기판층; 및상기 p형 기판층과 n형 기판층 사이에 게재되는 활성층;으로 이루어진 것을 특징으로 하는 도넛 모양의 홀 배열을 갖는 발광다이오드
3 3
청구항 1에 있어서,상기 도넛모양의 홀은 타원형인 것을 특징으로 하는 도넛 모양의 홀 배열을 갖는 발광다이오드
4 4
청구항 1에 있어서,상기 도넛모양의 홀 외경의 크기는 범위가 1~10μm인 것을 특징으로 하는 도넛 모양의 홀 배열을 갖는 발광다이오드
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1 미래창조과학부 인하대학교 산학협력단 대학 IT연구센터육성·지원 고성능 LED 조명 모듈 핵심기술