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혼성 구조를 갖는 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2015158107
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광다이오드의 n형 전극과 p형 전극 사이에서의 전류분포의 균일도(UNIFORMITY)를 개선하고, 발광다이오드의 내부 반사 및 재흡수 현상을 감소시킴으로써, 발광효율(LUMINOUS EFFICIENCY)을 더욱 향상시킬 수 있는 발광다이오드에 관한 것이다.이를 위해 본 발명은 베이스 기판(210)과, 상기 베이스 기판(210)의 상부에 형성되어 반도체의 p-n 접합구조를 이루며, 외부 전원과 연결되는 n형 전극패드(250)와 p형 전극패드(260)가 형성된 메인 기판층(25)과, 상기 메인 기판층(25)의 상부를 이루는 투명전극(270) 및 상기 n형 전극패드(250)로부터 연장되는 n형 전극핑거(252)와 상기 p형 전극패드(260)로부터 연장되는 p형 전극핑거(262) 사이인 상기 투명전극(270)의 상부에 미세 크기로 다수 형성된 마이크로 디스크(200)를 포함하되, 상기 마이크로 디스크(200)는 둘레부 내측의 중앙을 연결하는 브릿지(300)와, 상기 브릿지(300)에 의해 구획된 형상으로 식각된 한 쌍의 마이크 디스크홈(410, 411)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 혼성 구조를 갖는 발광다이오드가 제공된다.
Int. CL H01L 33/36 (2010.01) H01L 33/38 (2010.01)
CPC H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01)
출원번호/일자 1020130088949 (2013.07.26)
출원인 인하대학교 산학협력단, 일진엘이디(주)
등록번호/일자 10-1435512-0000 (2014.08.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
2 일진엘이디(주) 대한민국 경기도 안산시 단원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오범환 대한민국 인천 연수구
2 김양겸 대한민국 경기 부천시 원미구
3 이동진 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
2 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0680195-96
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0370212-28
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0652753-07
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0652754-42
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0525638-55
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판;상기 베이스 기판의 상부에 형성되어 반도체의 p-n 접합구조를 이루며, 외부 전원과 연결되는 p형 전극패드와, n형 전극패드가 형성된 메인 기판층;상기 메인 기판층의 상부를 이루는 투명전극; 및상기 n형 전극패드로부터 연장되는 n형 전극핑거와 상기 p형 전극패드로부터 연장되는 p형 전극핑거 사이인 상기 투명전극의 상부에 미세 크기로 다수 형성된 마이크로 디스크; 를 포함하되,상기 마이크로 디스크는 둘레부 내측의 중앙을 연결하는 브릿지와, 상기 브릿지에 의해 구획된 형상으로 식각된 한 쌍의 마이크로 디스크홈으로 이루어지고,상기 브릿지는 상기 마이크로 디스크의 내측으로 일정 간격을 유지하여 내경을 이루는 내경부; 및 상기 내경부의 중심을 수직하게 지나는 임의의 양측 방향으로 연장되어 상기 마이크로 디스크를 2 개로 양분하는 연결부;로 이루어진 것을 특징으로 하는 혼성 구조를 갖는 발광다이오드
2 2
청구항 1에 있어서,상기 메인 기판층은 상기 P형 전극패드가 연결된 p형 기판층;상기 n형 전극패드가 연결된 n형 기판층; 및상기 p형 기판층과 n형 기판층 사이에 게재되는 활성층;으로 이루어진 것을 특징으로 하는 혼성 구조를 갖는 발광다이오드
3 3
청구항 1에 있어서,상기 마이크로 디스크는 상기 투명전극으로부터 상기 n형 기판층까지의 깊이로 식각이 이루어진 것을 특징으로 하는 혼성 구조를 갖는 발광다이오드
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 인하대학교 산학협력단 대학 IT연구센터 육성·지원 고성능 LED 조명 모듈 핵심기술