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실리콘 나노 구조물을 이용한 발광다이오드
- 기술번호 : KST2015158122
- 담당센터 : 인천기술혁신센터
- 전화번호 : 032-420-3580
| 요약 | 실리콘 나노 구조물을 이용한 발광다이오드가 개시된다. 발광다이오드는 발광 다이오드부 및 발광 다이오드부의 상층부인 표면에 적층된 실리콘 나노 구조물을 포함한다. 실리콘 나노 구조물은 상층부 표면 일부에 적층된 제 2전극층과 각각 전기적으로 접촉되는 복수의 실리콘 나노선을 포함하고, 복수의 실리콘 나노선으로부터 이격된 나노돗 집합체를 더 포함하며, 나노돗 집합체는 복수의 나노돗으로 이루어진다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/36 (2010.01) H01L 33/38 (2010.01) |
| CPC | H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) H01L 33/40(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020130150137 (2013.12.04) |
| 출원인 | 인하대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1604360-0000 (2016.03.11) |
| 공개번호/일자 | 10-2015-0065055 (2015.06.12) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20160317) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.12.04) |
| 심사청구항수 | 9 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 인하대학교 산학협력단 | 대한민국 | 인천광역시 미추홀구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오범환 | 대한민국 | 인천 연수구 |
| 2 | 안신모 | 대한민국 | 인천 남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이원희 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 인하대학교 산학협력단 | 인천광역시 미추홀구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.12.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1111802-46 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2014.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0055044-16 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.11.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0810082-88 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2015.01.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0079899-57 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2015.02.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0190898-38 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.03.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0222622-40 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.03.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0222621-05 |
| 9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.07.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0467198-52 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.07.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5098802-16 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.09.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0891805-12 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.09.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0891804-66 |
| 13 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.11.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0822675-13 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.12.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-1283633-39 |
| 15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.12.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1283613-26 |
| 16 | 등록결정서 Decision to grant |
2016.03.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0180017-44 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2016.09.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5127132-49 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.03.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5036549-31 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266647-91 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 일부의 리세스된 표면층을 구비한 n형 반도체층;상기 리세스된 표면층에 적층된 제 1전극층;상기 리세스된 표면층을 제외한 n형 반도체층에 적층된 발광층;상기 발광층에 적층된 p형 반도체층; 및상기 p형 반도체층에 적층된 실리콘 나노 구조물을 포함하되,상기 실리콘 나노 구조물은 상기 p형 반도체층 일부에 적층된 제 2전극층과 각각 전기적으로 접촉되면서, 이격되어 배열된 복수의 실리콘 나노선 다발을 포함하고, 상기 실리콘 나노선 다발 각각은 평행하게 배열되어 있는 복수의 실리콘 나노선을 포함하며, 상기 복수의 실리콘 나노선 각각은 폭이 1/20 λ 내지 λ (λ 는 중심방출 파장)이며, 상기 복수의 실리콘 나노선 각각은 1/10 λ 내지 10 λ (λ 는 중심방출 파장)만큼 이격되어 배열되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 구조물을 이용한 발광다이오드 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 일부의 리세스된 표면층을 구비한 n형 반도체층;상기 리세스된 표면층에 적층된 제 1전극층;상기 리세스된 표면층을 제외한 n형 반도체층에 적층된 발광층;상기 발광층에 적층된 p형 반도체층; 및상기 p형 반도체층에 적층된 실리콘 나노 구조물을 포함하되,상기 실리콘 나노 구조물은 상기 p형 반도체층 일부에 적층된 제 2전극층과 각각 전기적으로 접촉되는 복수의 실리콘 나노선을 포함하며, 상기 복수의 실리콘 나노선 각각은 폭이 1/20 λ 내지 λ (λ 는 중심방출 파장)이며, 상기 복수의 실리콘 나노선 각각은 1/10 λ 내지 10 λ (λ 는 중심방출 파장)만큼 이격되어 배열되고, 상기 복수의 실리콘 나노선은 서로 교차하여 격자무늬 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 구조물을 이용한 발광다이오드 |
| 4 |
4 제 3항에 있어서,상기 복수의 실리콘 나노선은 평행하게 배열되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 구조물을 이용한 발광다이오드 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 삭제 |
| 7 |
7 삭제 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 나노 구조물은 상기 복수의 실리콘 나노선 다발로부터 이격된 나노돗 집합체를 더 포함하며, 상기 나노돗 집합체는 복수의 나노돗으로 이루어지며, 상기 복수의 나노돗 각각은 크기가 1/20 λ 내지 1/10 λ(λ는 중심방출 파장)이고, 1/10 λ 내지 10 λ (λ 는 중심방출 파장)만큼 이격되어 배열되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 구조물을 이용한 발광다이오드 |
| 9 |
9 일부의 리세스된 표면층을 구비한 n형 반도체층;상기 리세스된 표면층에 적층된 제 1전극층;상기 리세스된 표면층을 제외한 n형 반도체층에 적층된 발광층;상기 발광층에 적층된 p형 반도체층; 및상기 p형 반도체층에 적층된 실리콘 나노 구조물을 포함하되, 상기 나노 구조물은 상기 p형 반도체층 일부에 적층된 제 2전극층을 포함하고,상기 제 1전극층은,상기 n형 반도체층 표면 일부에 적층된 제 1패드부; 및상기 제 1패드부로부터 연장되는 제1핑거부를 포함하고,상기 제 2전극층은,상기 p형 반도체층 표면 일부에 적층된 제 2패드부; 및상기 제2패드부로부터 연장되는 제2핑거부를 포함하고,상기 실리콘 나노 구조물은 상기 제2핑거부로부터 연결되는 복수의 실리콘 나노선을 포함하며, 상기 복수의 실리콘 나노선 각각은 폭이 1/20 λ 내지 λ (λ 는 중심방출 파장)이며, 상기 복수의 실리콘 나노선 각각은 1/10 λ 내지 10 λ (λ 는 중심방출 파장)만큼 이격되어 배열되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 구조물을 이용한 발광다이오드 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 삭제 |
| 12 |
12 제 9항에 있어서, 상기 실리콘 나노 구조물은 상기 복수의 실리콘 나노선으로부터 이격된 나노돗 집합체를 더 포함하며, 상기 나노돗 집합체는 복수의 나노돗으로 이루어지며, 상기 복수의 나노돗 각각은 크기가 1/20 λ 내지 1/10 λ(λ는 중심방출 파장)이고, 1/10 λ 내지 10 λ (λ 는 중심방출 파장)만큼 이격되어 배열되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 구조물을 이용한 발광다이오드 |
| 13 |
13 제 1항, 제3항, 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은,상기 p형 반도체층 표면 일부에 적층되는 실리콘 패드층; 및상기 실리콘 패드층에 적층된 금속 패드층을 포함하는 실리콘 나노 구조물을 이용한 발광다이오드 |
| 14 |
14 제 13항에 있어서,상기 제 2 전극층은 실리콘 패드층 및 금속 패드층 사이에 게재되는 실리사이드층을 더 포함하는 실리콘 나노 구조물을 이용한 발광다이오드 |
| 15 |
15 제 1항, 제3항, 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 나노 구조물은 불순물을 포함하고, 상기 포함된 불순물은 3족 또는 5족 원소인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 구조물을 이용한 발광다이오드 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 미래창조과학부 | 인하대학교 산학협력단 | IT융합 고급인력과정 지원사업 | 고성능 LED 조명모듈 핵심기술 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1604360-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20131204 출원 번호 : 1020130150137 공고 연월일 : 20160317 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160309 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 33/38 발명의 명칭 : 실리콘 나노 구조물을 이용한 발광다이오드 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 198,000 원 | 2016년 03월 14일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 119,000 원 | 2018년 11월 21일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 119,000 원 | 2020년 01월 02일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.12.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1111802-46 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2014.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0055044-16 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2014.11.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0810082-88 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2015.01.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0079899-57 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2015.02.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0190898-38 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.03.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0222622-40 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.03.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0222621-05 |
| 9 | 의견제출통지서 | 2015.07.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0467198-52 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.07.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5098802-16 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.09.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0891805-12 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.09.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0891804-66 |
| 13 | 의견제출통지서 | 2015.11.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0822675-13 |
| 14 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.12.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-1283633-39 |
| 15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.12.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1283613-26 |
| 16 | 등록결정서 | 2016.03.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0180017-44 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2016.09.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5127132-49 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.03.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5036549-31 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266647-91 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415128836 |
|---|---|
| 세부과제번호 | H0301-13-1010 |
| 연구과제명 | 고성능 LED 조명용 모듈 핵심기술개발 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201106~201412 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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