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열플라즈마 제트를 이용한 실리콘 나노 입자의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 실리콘 나노 입자

  • 기술번호 : KST2015158209
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열플라즈마 제트 발생 가스를 공급하여 열플라즈마 제트를 발생시키는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 발생된 열플라즈마 제트에 실리콘 분말을 공급하여 용융 및 기화시키는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 용융 및 기화된 실리콘 분말을 냉각시키고 포집하는 단계(단계 3);를 포함하는 실리콘 나노 입자의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 실리콘 나노 입자의 제조방법은 열플라즈마 제트를 이용함으로써 짧은 시간 동안에 실리콘 분말에 열을 가하고 냉각시켜 나노 크기의 입자를 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 제조방법은 에너지 효율이 높고, 공정 시간이 상대적으로 짧으며, 공정 조건의 제어가 쉽다는 장점이 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) C01B 33/021 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B01J 19/12 (2006.01)
CPC C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01)
출원번호/일자 1020140011550 (2014.01.29)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1558525-0000 (2015.10.01)
공개번호/일자 10-2015-0090653 (2015.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20151013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박동화 대한민국 서울 서초구
2 이현준 대한민국 인천 남동구
3 최수석 대한민국 인천 남구
4 김태희 대한민국 경기 부천시 소사구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)플라즈마텍 경기도 안성시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0099345-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.09.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0070924-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0254580-51
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0580487-79
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0580485-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0659530-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
공급되는 실리콘 분말에 열원을 공급하는 토치부; 상기 토치부 일측에 전원을 공급하는 전원 공급 장치; 상기 토치부 하부에 구비되고 열플라즈마 제트 발생 공간을 제공하며 원료 물질들이 반응하는 공간인 반응관; 상기 반응관 하부에 구비되고 열플라즈마 제트 발생에 의해 형성되는 물질들이 축적되는 공간으로써, 일측에 이중관 급냉 시스템이 구비되어 있는 반응기; 일측에 구비되어 분말 공급 라인을 통해 원료 물질인 실리콘 분말을 상기 토치부에 공급하는 분말 공급 장치(Power feeder); 상기 토치부 일측에 구비되어 열플라즈마 제트 발생 가스 공급 라인을 통해 토치부로 열플라즈마 가스를 공급하는 발생 가스 공급 장치; 및 상기 열플라즈마 제트 발생 가스 공급 라인에 구비되어 열플라즈마 제트 발생 가스의 유량을 조절하는 발생 가스 유량조절기;를 포함하는 열플라즈마 발생 장치에서 직류 전원을 사용하고, 전류는 200 내지 750 A, 전압은 10 내지 50 V를 공급하고, 열플라즈마 제트 발생 가스를 공급하여 비이송식 열플라즈마 제트를 발생시키되, 상기 열플라즈마 발생 장치에서 토치부의 높이는 13 cm 이상인 것을 특징으로 하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 발생된 열플라즈마 제트에 실리콘 분말을 공급하여 용융 및 기화시키는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 용융 및 기화된 실리콘 분말을 냉각시키고 포집하는 단계(단계 3);를 포함하는 크기가 1 내지 500 nm인 실리콘 나노 입자의 제조방법
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삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 단계 1의 발생 가스는 아르곤, 질소 및 아르곤과 질소의 혼합가스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 입자의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 실리카 분말의 공급은 상기 단계 1에서 열플라즈마 제트 발생 방향으로 공급되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 입자의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 단계 3의 냉각은 이중관 급냉 시스템에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 입자의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 이중관 급냉 시스템에 공급되는 냉각수 온도는 10 내지 30 ℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 입자의 제조방법
8 8
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9 9
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 인하대학교 산학협력단 지역혁신센터(RIC) 플라즈마를 이용한 질소계 악취오염물질 처리공정