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스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015158223
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리는 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction)을 포함한다. 자기 터널 접합은 반도체 기판 상에 배치된 반강자성층, 반강자성층 상에 배치된 기준층, 기준층 상에 배치된 절연층, 및 절연층 상에 배치된 자유층을 포함한다. 자유층은 장축 방향과 상기 장축 방향에 수직인 단축 방향으로 정의되는 평면에 배치되고, 자유층은 장축 방향을 가로지르는 직선 부위를 포함한다.
Int. CL G11C 11/15 (2006.01)
CPC G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01)
출원번호/일자 1020140036164 (2014.03.27)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1583134-0000 (2015.12.30)
공개번호/일자 10-2015-0042684 (2015.04.21) 문서열기
공고번호/일자 (20160119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2012-0147060 (2012.12.17)
관련 출원번호 1020120147060
심사청구여부/일자 Y (2014.04.15)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유천열 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0296721-95
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0358114-23
3 보정요구서
Request for Amendment
2015.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0081368-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0392434-07
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0643852-42
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0643838-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
8 등록결정서
Decision to grant
2015.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0899012-45
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
자기 터널 접합(magnetic tunnel junction)을 포함하는 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리에 있어서,상기 자기 터널 접합은:반도체 기판 상에 배치된 반강자성층;상기 반강자성층 상에 배치된 기준층; 상기 기준층 상에 배치된 절연층; 및상기 절연층 상에 배치된 단층 구조의 자유층을 포함하고,상기 자유층은 장축 방향과 상기 장축 방향에 수직인 단축 방향으로 정의되는 평면에 배치되고, 상기 자유층은 상기 장축 방향을 가로지르는 직선 부위를 포함하고,상기 자유층은 상기 장축 방향의 끝이 잘린 타원 형상이고, 상기 기준층 및 상기 반강자성층은 상기 장축 방향의 끝이 잘리지 않은 타원 형상인 것을 특징으로 하는 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리
2 2
제1 항에 있어서,상기 자유층은 상기 장축 방향에 대하여 거울 대칭이고,상기 자유층은 상기 단축 방향에 대하여 비대칭인 것을 특징으로 하는 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리
3 3
제2 항에 있어서,상기 직선 부위로부터 상기 타원의 원래의 형상의 장축의 끝까지의 수직 거리는 4 나노 미터 내지 8 나노 미터인 것을 특징으로 하는 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리
4 4
제1 항에 있어서,상기 반강자성층, 상기 기준층, 상기 절연층, 및 상기 자유층의 측면은 서로 정렬된 것을 특징으로 하는 스핀 전달 토크 자기 랜덤 억세스 메모리
5 5
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1 KR101441201 KR 대한민국 FAMILY

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1 교육과학기술부 인하대학교 일반연구자지원 신개념 스핀소자 성능향상을 위한 강자성체 감쇠계수의 최적화 연구