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(a) 기판 및 황화카드뮴 타겟을 챔버 내부에 도입하고, 챔버 압력이 1 ~ 2Pa가 될 때까지 아르곤 가스를 유입시키는 단계; 및(b) 상기 황화카드뮴 타겟에 RF 파워를 90W 이하로 인가하여 기판상에 황화카드뮴 박막을 형성시키는 단계를 포함하는 황화카드뮴 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 RF 파워는 10 ~ 30W인 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 황화카드뮴 박막 형성시, 기판의 온도를 100℃ 이상으로 유지하는 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 소다석회유리(sodalime glass), CIGS/Mo, CIGS/Mo/glass, 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 실리콘, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET) 및 CdTe/SnO2/Glass로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 박막의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 황화카드뮴 박막
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제5항에 있어서, 상기 황화카드뮴 박막은 박막 두께 70nm의 경우, 저항이 103 ~ 104Ωcm이고, 500 ~ 850nm에서의 광투과도가 69% 이상인 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 박막
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