맞춤기술찾기

이전대상기술

스퍼터링 증착을 이용한 황화카드뮴 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015158235
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스퍼터링 증착을 이용한 황화카드뮴 박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 최적의 스퍼터링 증착으로 광학적 특성과 전기적 특성이 우수한 고품질의 황화카드뮴 박막을 대면적이면서 핀홀 발생 없이 표면이 균일하게 제조할 수 있는, 스퍼터링 증착을 이용한 황화카드뮴 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 황화카드뮴 박막에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0392 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020140108378 (2014.08.20)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1540035-0000 (2015.07.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.20)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 마포구
2 최지현 대한민국 경기도 화성

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 공간 대한민국 대전광역시 서구 둔산서로 ***, *층(둔산 *동, 산업은행B/D)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 이림월드 서울특별시 강동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0788386-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0032955-07
4 등록결정서
Decision to grant
2015.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0489266-74
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0713117-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 및 황화카드뮴 타겟을 챔버 내부에 도입하고, 챔버 압력이 1 ~ 2Pa가 될 때까지 아르곤 가스를 유입시키는 단계; 및(b) 상기 황화카드뮴 타겟에 RF 파워를 90W 이하로 인가하여 기판상에 황화카드뮴 박막을 형성시키는 단계를 포함하는 황화카드뮴 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 RF 파워는 10 ~ 30W인 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 황화카드뮴 박막 형성시, 기판의 온도를 100℃ 이상으로 유지하는 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 박막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 기판은 소다석회유리(sodalime glass), CIGS/Mo, CIGS/Mo/glass, 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 실리콘, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET) 및 CdTe/SnO2/Glass로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 박막의 제조방법
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 황화카드뮴 박막
6 6
제5항에 있어서, 상기 황화카드뮴 박막은 박막 두께 70nm의 경우, 저항이 103 ~ 104Ωcm이고, 500 ~ 850nm에서의 광투과도가 69% 이상인 것을 특징으로 하는 황화카드뮴 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.