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기판과, 상기 기판의 상면에 배치된 n형 반도체와, 상기 n형 반도체 상면 일부영역에 배치된 음전극과, 상기 일부영역을 제외한 n형 반도체 상면에 배치된 발광층과, 상기 발광층 상면에 배치된 p형 반도체와, 상기 p형 반도체 상면에 배치된 투명전극 및 상기 투명전극 상면에 배치된 양전극을 포함하는 발광다이오드에 있어서,상기 투명전극은 상기 음전극이 배치되기 위해 식각된 테두리 부위에 동일한 형태로 연속적으로 반복되게 형성된 주기적 패턴을 형성하여 상기 p형 반도체를 노출시키고,상기 주기적 패턴의 폭 또는 길이는 일정하거나, 점진적으로 또는 불규칙적으로 변화하는 것을 특징으로 하는 투명전극에 주기적 패턴이 형성된 발광다이오드
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기판과, 상기 기판의 상면에 배치된 n형 반도체와, 상기 n형 반도체 상면 일부영역에 배치된 음전극과, 상기 일부영역을 제외한 n형 반도체 상면에 배치된 발광층과, 상기 발광층 상면에 배치된 p형 반도체와, 상기 p형 반도체 상면에 배치된 투명전극 및 상기 투명전극 상면에 배치된 양전극을 포함하는 발광다이오드에 있어서,상기 투명전극은 상기 음전극이 배치되기 위해 식각된 테두리로부터 일정거리만큼 식각된 완전 식각 영역과, 상기 완전 식각 영역으로부터 연장되어 동일한 형태로 연속적으로 반복되게 형성된 주기적 패턴을 형성하여 상기 p형 반도체를 노출시키고,상기 주기적 패턴의 폭 또는 길이는 일정하거나, 점진적으로 또는 불규칙적으로 변화하는 것을 특징으로 하는 투명전극에 주기적 패턴이 형성된 발광다이오드
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 주기적 패턴은 삼각 형태 또는 사다리꼴 형태를 가지고, 연속적으로 형성된 것을 특징으로 하는 투명전극에 주기적 패턴이 형성된 발광다이오드
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제 3항에 있어서,상기 삼각 형태의 주기적 패턴은 폭이 2um ~ 200um이고 길이가 2um~200um이고, 상기 사다리꼴 형태의 주기적 패턴은 짧은 폭이 1um~100um이고 긴 폭이 2um ~ 200um이고 길이가 2um~200um인 것을 특징으로 하는 투명전극에 주기적 패턴이 형성된 발광다이오드
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 주기적 패턴은 직사각 형태를 가지고, 상호 이격되어 단속적으로 형성된 것을 특징으로 하는 투명전극에 주기적 패턴이 형성된 발광다이오드
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6
제 5항에 있어서,상기 주기적 패턴은 폭이 1um~200um이고, 길이가 1um~200um인 것을 특징으로 하는 투명전극에 주기적 패턴이 형성된 발광다이오드
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 주기적 패턴은 반원 형태, 반타원 형태 및 호 형태 중 어느 하나의 형태를 가지고, 연속적으로 형성된 것을 특징으로 하는 투명전극에 주기적 패턴이 형성된 발광다이오드
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제 7항에 있어서, 상기 주기적 패턴은 폭이 2um~200um이고, 길이가 1um~100um인 것을 특징으로 하는 투명전극에 주기적 패턴이 형성된 발광다이오드
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9
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 주기적 패턴은 격자 형태를 가지고, 연속적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전극에 주기적 패턴이 형성된 발광다이오드
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제 9항에 있어서,상기 주기적 패턴은 격자의 두께가 1um~200um인 선분이 일정 간격을 가지고 상기 격자형태를 이루며, 격자 사이의 세로폭은 1um~200um이고, 격자 사이의 가로폭은 1um~200um인 것을 특징으로 하는 투명전극에 주기적 패턴이 형성된 발광다이오드
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