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황산바나딜(VOSO4) 분말을 증류수에 용해시킨 후, 세틸트리메틸암모늄브로마이드(CTAB) 분말을 첨가하여 반응시킨 후, pH를 조절하여 전해질 용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 전해질 용액에 기판을 침지하고, 전기화학 증착시켜 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막을 제조하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 제조된 박막으로부터 세척용액을 사용하여 CTAB를 제거하는 단계(단계 3)를 포함하여 이루어지는 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 황산바나딜 분말은 0
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 세틸트리메틸암모늄브로마이드는 1~5 중량%을 첨가하는 것을 특징으로 하는 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 전해질 용액의 pH는 1
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 전해질 용액은 50~90 ℃ 범위의 온도를 일정하게 유지하여 사용하는 것을 특징으로 하는 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 전기화학 증착은 0
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 전기화학 증착은 1~60분간 이루어지는 것을 특징으로 하는 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 전기화학 증착은 3원 전극시스템을 사용하는 것을 특징으로 하는 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 3원 전극시스템은 기준전극을 Ag/AgCl전극 또는 SCE 전극으로, 상대전극을 백금전극으로, 작업전극을 증착되는 기판으로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 기판은 ITO 유리, 스테인레스 스틸 및 백금판으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 중간세공 구조를 갖는 오산화바나듐 박막의 제조방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 중간세공 구조의 오산화바나듐 박막
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제11항에 있어서, 상기 중간세공 구조의 오산화바나듐 박막은 2~3 ㎚의 기공 직경과 1~2 ㎚의 박막 두께를 갖는 층상 구조인 것을 특징으로 하는 오산화바나듐 박막
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