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두께가 서로 상이한 제1, 제2 강자성층이 국소적 교환 상호 작용에 의해 결합되는 부분을 갖도록 배치하되, 상기 제1, 제2 강자성층의 두께와 층간 결합 에너지의 조절에 의해, 상기 제1 강자성층과 교환 상호 작용에 의해 결합된 제2 강자성층의 부분인 영역1과 제1 강자성층이 존재하지 않는 영역인 영역2가 서로 반대 방향의 자화 방향을 가지는 경계면에서 형성되는 자벽의 두께를 최소화한 것을 특징으로 하는 좁은 자벽 생성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1, 제2 강자성층은 각각 Fe, Co, Ni을 포함하는 3d 전이 원소들이거나 또는 이들의 합금, 또는 희토류 원소인 Nd, Sm, Tb, Dy이거나 또는 희토류 천이 금속 합금(SmCo, CoFe, NiFe, NdFeB)으로 된 것을 특징으로 하는 좁은 자벽 생성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 강자성층의 두께(d1)와 제2 강자성층의 두께(d2)는 2:1 내지 20:1의 관계인 것을 특징으로 하는 좁은 자벽 생성 방법
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4
제 1 항에 있어서, 상기 제1 강자성층의 두께(d1)는 5~50 nm이고, 제2 강자성층 두께(d2)는 1 ~ 5 nm인 것을 특징으로 하는 좁은 자벽 생성 방법
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5
제 1 항에 있어서, 상기 제1, 제2 강자성층 사이에 제3의 층이 존재할 경우 상기 제1, 제2 강자성층은 층간 교환 상호 작용에 의해 결합되는 것을 특징으로 하는 좁은 자벽 생성 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 제3의 층은 Cr, Cu, Au, Ru으로 이루어진 비자성 금속이거나 또는 그 합금으로 된 것을 특징으로 하는 좁은 자벽 생성 방법
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7
제 1 항에 있어서, 상기 제1, 제2 강자성층이 국소적 교환 상호 작용에 의해 결합되는 부분의 위치 변경을 통해 자벽의 위치를 변경하는 것을 특징으로 하는 좁은 자벽 생성 방법
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8
제1강자성층 및 상기 제1강자성층과 두께 및 길이가 상이한 제2강자성층을 포함하되, 상기 제1 및 제2 강자성층은 상기 제1 내지 제2강자성층 중 어느 하나의 층만 존재하는 영역과 모두 존재하는 영역을 갖도록 배치하여 제1항에 따른 방법에 의해 생성되는 좁은 자벽을 자기저항으로 이용하는 것을 특징으로 하는 자기저항소자
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제1강자성층 및 상기 제1강자성층과 두께 및 길이가 상이한 제2강자성층을 포함하되, 상기 제1 및 제2 강자성층은 상기 제1 내지 제2강자성층 중 어느 하나의 층만 존재하는 영역과 모두 존재하는 영역을 갖도록 배치하여 제1항에 따른 방법에 의해 생성되는 좁은 자벽에서 발생하는 누설 자기장을 자성 소자에서 자기장 발생수단으로 이용하는 것을 특징으로 하는 자기장 발생 장치
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10
제 9 항에 있어서, 상기 좁은 자벽에서 발생하는 누설 자기장을 나노 스케일(1~100nm)에 국한된 자기장 발생수단으로 이용하는 것을 특징으로 하는 자기장 발생 장치
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11
제1강자성층 및 상기 제1강자성층과 두께 및 길이가 상이한 제2강자성층을 포함하되, 상기 제1 및 제2 강자성층은 상기 제1 내지 제2강자성층 중 어느 하나의 층만 존재하는 영역과 모두 존재하는 영역을 갖도록 배치하여 제1항에 따른 방법에 의해 생성되는 좁은 자벽에서 발생하는 누설 자기장을 고밀도 기록을 위해 이용하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 헤드
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