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직류 바이어스를 이용한 수소화된 나노결정 실리콘 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015158342
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 직류 바이어스를 이용한 수소화된 나노결정 실리콘 박막에 관한 것이다. 본 발명에 의한 수소화된 나노결정 실리콘 박막은 저온에서 수 나노 크기로 형성될 수 있고, 직류바이어스를 통하여 박막 내의 나노결정의 비율을 증가시켜 결함이 적은 나노결정 실리콘 박막을 사용함으로써, 기존 실리콘 제조 기술을 이용하여 광특성이 우수한 광방출 다이오드, 광학 메모리 소자 및 태양전지를 제조할 수 있다. 수소화된 나노결정 실리콘, 광방출, 직류 바이어스
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 21/205(2013.01)H01L 21/205(2013.01)H01L 21/205(2013.01)
출원번호/일자 1020080018321 (2008.02.28)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0980325-0000 (2010.08.31)
공개번호/일자 10-2009-0093024 (2009.09.02) 문서열기
공고번호/일자 (20100907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.28)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조남희 대한민국 인천 남구
2 심재현 대한민국 인천 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0147563-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0063761-04
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0087273-93
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0266376-49
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0266377-95
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0381020-78
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
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번호 청구항
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실리콘 웨이퍼에 SiH4 2 ~ 4 sccm 과 H2 기체 90 ~ 110 sccm을 혼합한 기체를 실온에서 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)로 주입시켜 상기 실리콘 웨이퍼에 수소화된 비정질 실리콘을 형성시켜 박막을 증착시키는 증착 단계; 및 상기 증착 단계 이후 증착된 나노결정 실리콘에 90 ~ 110 W의 고주파 방전과 -40V ~ -400V의 직류 바이어스를 인가하여 나노결정 실리콘을 형성시키는 형성 단계를 포함하는 PECVD법을 이용하여 수소화된 나노결정 실리콘 박막의 제조방법
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