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자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자 및 자기 광학소자의 선택적 포화 자화 방법

기술번호 : KST2015158347
담당센터 : 인천기술혁신센터
전화번호 : 032-420-3580

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 자속 집속 증대 구조를 적용함으로써 자기 광학 도파로층의 특정 영역을 선택적으로 포화 자화시킬 수 있는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자 및 자기 광학 소자의 선택적 포화 자화 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자는 자기장 인가층과 자기 광학 도파로층이 순차적으로 적층된 구조를 갖으며, 상기 자기 광학 도파로층은 중앙 부위가 여타 부위에 비해 상대적으로 상부로 돌출된 형태를 갖는 릿지(ridge)형 구조이며, 상기 자기 광학 도파로층 중앙 부위의 하부에 구비되는 자기장 인가층의 두께가 여타 부위의 자기장 인가층의 두께보다 작은 것을 특징으로 한다.
Int. CL	G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/10 (2006.01)
CPC	G02B 6/0076(2013.01) G02B 6/0076(2013.01) G02B 6/0076(2013.01) G02B 6/0076(2013.01)
출원번호/일자	1020060043526 (2006.05.15)
출원인	인하대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0738802-0000 (2007.07.05)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20070712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.05.15)
심사청구항수	14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	인하대학교 산학협력단	대한민국	인천광역시 미추홀구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	오범환	대한민국	인천 남구
2	양정수	대한민국	인천 남구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김영철	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 , *층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2	김 순 영	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 , *층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
3	이준서	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 * **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)(법무법인케이씨엘)
4	안철흥	대한민국	인천 서구 당하동*블록 ,롯트 금강KCC 스위첸 -**호(도현국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	인하대학교 산학협력단	대한민국	인천광역시 남구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.05.15	수리 (Accepted)	1-1-2006-0337807-42
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.05.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.06.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0032116-80
4	등록결정서 Decision to grant	2007.06.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0358189-41
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.03.07	수리 (Accepted)	4-1-2008-0003929-31
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2008-5093865-89
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.17	수리 (Accepted)	4-1-2009-5220324-82
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.07.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5098802-16
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.09.05	수리 (Accepted)	4-1-2016-5127132-49
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.03.02	수리 (Accepted)	4-1-2018-5036549-31
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266647-91

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 자기장 인가층과 자기 광학 도파로층이 순차적으로 적층된 구조를 갖으며, 상기 자기 광학 도파로층은 중앙 부위가 중앙 부위의 양측 부위에 비해 상대적으로 상부로 돌출된 형태를 갖는 릿지(ridge)형 구조이며, 상기 자기 광학 도파로층 중앙 부위의 하부에 구비되는 자기장 인가층의 두께가 양측 부위의 자기장 인가층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 자기장 인가층의 중앙 부위의 두께는 양측 부위의 두께의 20∼80% 인 것을 특징으로 하는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 자기장 인가층은 자화 안정층, 비자석층, 자석층이 순차적으로 적층된 구조를 갖으며, 상기 자석층의 중앙 부위의 두께가 양측 부위의 자석층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 비자석층은 Ru 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자
5	5 제 3 항에 있어서, 상기 자화 안정층 및 자석층은 CoPtCrTa, CoPtCrB 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자
6	6 제 1 자기 광학 소자와 제 2 자기 광학 소자로 구성되며, 상기 제 1 및 제 2 자기 광학 소자는 각각 자기장 인가층과 자기 광학 도파로층이 순차적으로 적층된 구조를 갖으며, 상기 제 1 자기 광학 소자의 자기장 인가층은, 중앙 부위의 두께가 양측 부위의 두께보다 작도록 형성되며, 상기 제 2 자기 광학 소자의 자기장 인가층은 단면의 두께가 전면에 걸쳐 일정하여, 상기 제 1 자기 광학 소자의 자기 광학 도파로층이 포화 자화되는 임계 자기장값이 상기 제 2 자기 광학 소자의 자기 광학 도파로층이 포화 자화되는 임계 자기장값보다 작은 것을 특징으로 하는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 자기 광학 소자의 자기장 인가층의 양측 부위의 두께와 상기 제 2 자기 광학 소자의 자기장 인가층의 두께는 동일한 것을 특징으로 하는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자
8	8 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 자기 광학 소자는 기판 상에 형성되며, 상기 기판 상에는 상기 제 1 및 제 2 자기 광학 소자의 자기장 인가층과 물리적으로 접촉하는 자기장 전달층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자
9	9 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 자기 광학 소자는 기판 상에 형성되며, 상기 기판 상에는 상기 제 1 및 제 2 자기 광학 소자의 길이 방향으로 자기장 전달층이 더 구비되고, 상기 자기장 전달층은 상기 제 1 자기 광학 소자의 자기장 인가층과 물리적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자
10	10 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 자기 광학 소자의 자기장 인가층은 자화 안정층, 비자석층, 자석층이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 자기 광학 소자의 자석층은, 중앙 부위의 두께가 양측 부위의 자석층의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자
12	12 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 자기 광학 소자의 자기장 인가층의 중앙 부위의 두께는 양측 부위의 두께의 20∼80% 인 것을 특징으로 하는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자
13	13 제 6 항의 자기 광학 소자를 이용한 선택적 포화 자화 방법에 있어서, 상기 제 1 자기 광학 소자의 자기 광학 도파로층이 포화 자화되는 임계 자기장보다는 크고 상기 제 2 자기 광학 소자의 자기 광학 도파로층이 포화 자화되는 임계 자기장보다는 작은 크기의 자기장을 상기 제 1 및 제 2 자기 광학 소자의 자기장 인가층에 인가하여, 상기 제 1 자기 광학 소자의 자기 광학 도파로층만 선택적으로 포화 자화시키는 것을 특징으로 하는 자기 광학 소자의 선택적 포화 자화 방법
14	14 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 자기 광학 소자의 자기장 인가층에 인가되는 자기장 방향은 상기 제 1 및 제 2 자기 광학 소자의 자기 광학 도파로층을 통과하는 광의 진행 방향에 평행하거나 직각인 것을 특징으로 하는 자기 광학 소자의 선택적 포화 자화 방법

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이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0738802-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20060515 출원 번호 : 1020060043526 공고 연월일 : 20070712 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070627 청구범위의 항수 : 14 유별 : G02B 6/12 발명의 명칭 : 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자 및 자기 광학소자의 선택적 포화 자화 방법 존속기간(예정)만료일 : 20140706

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 인하대학교 산학협력단 인천광역시 남구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	418,500 원	2007년 07월 04일	납입
제 4 년분	금 액	348,000 원	2010년 05월 04일	납입
제 5 년분	금 액	348,000 원	2011년 04월 15일	납입
제 6 년분	금 액	348,000 원	2012년 07월 04일	납입
제 7 년분	금 액	632,000 원	2013년 05월 27일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.05.15	수리 (Accepted)	1-1-2006-0337807-42
2	선행기술조사의뢰서	2007.05.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.06.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0032116-80
4	등록결정서	2007.06.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0358189-41
5	출원인정보변경(경정)신고서	2008.03.07	수리 (Accepted)	4-1-2008-0003929-31
6	출원인정보변경(경정)신고서	2008.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2008-5093865-89
7	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.17	수리 (Accepted)	4-1-2009-5220324-82
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.07.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5098802-16
9	출원인정보변경(경정)신고서	2016.09.05	수리 (Accepted)	4-1-2016-5127132-49
10	출원인정보변경(경정)신고서	2018.03.02	수리 (Accepted)	4-1-2018-5036549-31
11	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266647-91


과제고유번호	1350021749
세부과제번호	R11-2003-022-01002-0
연구과제명	VLSI-Photonics요소기술
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	인하대학교
성과제출연도	2006
연구기간	200308~200902
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1350021749
세부과제번호	R11-2003-022-01002-0
연구과제명	VLSI-Photonics요소기술
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	인하대학교
성과제출연도	2006
연구기간	200308~200902
기여율	0.5
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)


과제고유번호	1415076916
세부과제번호	00014823
연구과제명	신소재/공정기반의photonicIC제작
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가원
연구주관기관명	엘지전자
성과제출연도	2007
연구기간	200110~201107
기여율	0.5
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	NT(나노기술)

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