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마그네트론 스퍼터링법을 이용한 GZO 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015158377
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 GZO 박막의 제조방법에 관한 것이다. 특히, 일정 유량비의 산소/아르곤 혼합기체 분위기 및 일정 기판온도에서 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 구조적, 전기적 또는 광학적 특성이 우수한 GZO 박막을 제조하는 방법에 대한 것이다.본 발명에 따른 투명 전도성 산화막은 구조적, 전기적 또는 광학적 특성 등이 우수하여 각종 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel), 유기발광소자(Organic Light Emitting Device; OLED), 태양전지 등의 디스플레이 장치 분야의 투명전극에 유용하게 이용될 수 있으며, 종래 In의 희소성으로 인한 고가격, 유독성, 접착력 문제가 있는 ITO를 대체할 수 있을 것으로 기대된다. GZO, 마그네트론 스퍼터링, 산소/아르곤 유량비, 기판온도
Int. CL H01L 21/203 (2006.01)
CPC C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01) C23C 14/35(2013.01)
출원번호/일자 1020060077573 (2006.08.17)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0016034 (2008.02.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.17)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종무 대한민국 인천 남구
2 김숙주 대한민국 인천 계양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0584812-08
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0461345-62
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0773828-40
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.11.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0850753-54
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0164932-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
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번호 청구항
1 1
0 내지 1 범위의 유량비를 갖는 산소/아르곤 혼합기체 분위기에서 20℃ 내지 400℃ 범위의 온도를 갖는 기판 상에 갈륨으로 도핑처리된 산화아연 박막을 증착시키는 단계; 및 상기 갈륨이 도핑된 산화아연 박막을 후열처리하는 단계를 포함하는 갈륨이 도핑된 산화아연 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판온도는 250℃ 내지 350℃가 되게 하는 것을 특징으로 하는 갈륨이 도핑된 산화아연 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 산소/아르곤 혼합기체의 유량비는 0
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 갈륨이 도핑된 산화아연 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.