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패턴이 형성된 투명전극 및 이를 이용한 태양전지

  • 기술번호 : KST2015158380
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패턴이 형성된 투명전극, 이의 제조방법, 이를 이용한 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로 구체적으로는 100 ~ 350 nm두께의 투명전극에 패턴이 형성된 투명전극에 관한 것이다. 본 발명에 따른 종래 기판에서뿐만 아니라, 플렉시블 기판에서 사용가능하며, 종래 투명전극에 비하여 패턴이 형성되어 있어 표면적, 광흡수층 및 전해질의 부피를 증가시킬 뿐만 아니라 패턴된 투명전극 내에 광흡수층이 증착됨으로써 빛의 산란을 감소시켜서 빛을 효율적으로 사용할 수 있는 태양전지를 제조할 수 있고, 이를 이용하여 석유에너지를 청정한 태양에너지로 대체하는데 유용하게 사용될 수 있다. 태양전지, 투명전극, 투명전극구조, 표면적, 에너지 전환효율
Int. CL H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01)
출원번호/일자 1020080079496 (2008.08.13)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0020756 (2010.02.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0580061-02
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0259367-10
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0504045-69
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.08.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0504046-15
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0572001-35
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2011.01.14 수리 (Accepted) 7-1-2011-0001610-77
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.03.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0009976-47
9 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2011.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0211286-42
10 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2011.05.23 수리 (Accepted) 7-8-2011-0014217-48
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0548837-48
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0950834-39
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0950836-20
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0198154-42
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
100 ~ 350 nm 두께의 투명전극에 패턴이 형성된 투명전극
2 2
제1항에 있어서, 상기 패턴이 형성된 부분의 투명전극의 두께는, 투명전극의 두께가 100 ~ 200 nm인 경우 전극두께의 10 ~ 50% 이내이고, 투명전극의 두께가 200 ~ 350 nm인 경우 전극두께의 20 ~ 50% 이내로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전극
3 3
제1항에 있어서, 상기 투명전극은 ITO, FTO, IZO, AZO, SnO2 및 In2O3 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이의 혼합산화물인 것을 특징으로 하는 투명전극
4 4
제1항에 있어서, 상기 투명전극은 패턴의 형성에 의해 전극의 표면적 및 광흡수율이 증가되는 것을 특징으로 하는 투명전극
5 5
직류 마그네트론 스퍼터링, 라디오 주파수 마그네트론 스퍼터링, 용액 증착법, 화학증착법 및 기상증착법으로 이루어지는 어느 하나의 방법으로 투명전극을 제조하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1의 투명전극에 리소그래피 및 식각공정으로 패턴을 형성시키는 단계(단계 2)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 제1항의 투명전극 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 단계 2의 식각공정은 습식식각법 또는 건식식각법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 제1항의 투명전극 제조방법
7 7
제1항의 투명전극을 구비하는 고효율 태양전지
8 8
제7항에 있어서, 상기 고효율 태양전지는 염료감응형 태양전지, 유기분자 태양전지, 실리콘 박막형 태양전지 또는 박막형 태양전지인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
9 9
투명전극에 금속촉매전극을 증착시킨 후, 구멍을 형성시켜 상부전극을 제조하는 단계(단계 A); 제1항의 투명전극에 광흡수층을 증착하여 하부전극을 제조하는 단계(단계 B); 상기 단계 B의 하부전극에 상기 단계 A의 상부전극을 양면테이프로 고정시키는 단계(단계 C); 및 상기 상부전극에 형성되어 있는 구멍을 통해 전해액을 주입시키고, 밀봉하는 단계(단계 D)로 이루어지는 제7항의 태양전지 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 단계 A의 구멍은 직경이 0
11 11
제9항에 있어서, 상기 단계 B의 광흡수층 증착은 마그네트론 스퍼터링, 용액증착법, 기상증착법 또는 화학적 도포법인 것을 특징으로 하는 제7항의 태양전지 제조방법
12 12
제9항에 있어서, 상기 단계 D의 밀봉은 고온 용융 밀봉 호일(hot melt sealing foil)을 넣고 열전도테이프(thermal tape)로 부착 및 가열하여 밀봉하는 것을 특징으로 하는 제8항의 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.