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기판 상부에 과불소 중합체 패턴을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 패턴이 형성된 기판에 나노 물질이 분산되어 있는 분산액을 도포하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 기판에 형성된 과불소 중합체 패턴을 플루오르계 용매를 사용하여 제거하는 단계(단계 3);를 포함하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은,볼록부와 오목부가 형성된 고분자 몰드를 준비하는 단계(단계 a);과불소 중합체를 포함하는 고분자 용액을 준비하는 단계(단계 b);상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드에 상기 단계 b에서 준비된 고분자 용액을 도포하여 고분자 몰드의 볼록부 표면에 고분자 층을 형성하는 단계(단계 c); 및상기 단계 c에서 고분자 층이 형성된 고분자 몰드를 기판에 접촉시켜 고분자 몰드의 볼록부 표면에 형성된 고분자 층을 전사하는 단계(단계 d);를 포함하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 단계 a의 고분자 몰드는 하드-폴리디메틸실록세인(h-PDMS) 몰드 또는 소프트-폴리디메틸실록세인(s-PDMS) 몰드인 것을 특징으로 하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 단계 b의 고분자 용액은 플루오르계 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 단계 b의 과불소 중합체의 함량은 전체 고분자 용액에 대하여 1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은,볼록부와 오목부가 형성된 고분자 몰드를 준비하는 단계(단계 a);과불소 중합체를 포함하는 고분자 용액을 준비하는 단계(단계 b);상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드에 상기 단계 b에서 준비된 고분자 용액을 도포하여 고분자 몰드의 오목부 내부에 고분자 층을 형성하는 단계(단계 c); 및상기 단계 c에서 고분자 층이 형성된 고분자 몰드를 기판에 접촉시키고, 압력을 가하여 고분자 몰드의 오목부 내부에 형성된 고분자 층을 전사하는 단계(단계 d);를 포함하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 단계 d에서 고분자 몰드에 가하는 압력은 0
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제1항에 있어서,상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은,볼록부와 오목부가 형성된 고분자 몰드를 준비하는 단계(단계 a);과불소 중합체를 포함하는 고분자 용액을 준비하는 단계(단계 b);상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드에 상기 단계 b에서 준비된 고분자 용액을 도포하여 고분자 몰드의 볼록부 표면 및 오목부 내부에 고분자 층을 형성하는 단계(단계 c);상기 단계 c에서 고분자 층이 형성된 고분자 몰드를 기판에 접촉시켜 고분자 몰드의 볼록부 표면에 형성된 고분자 층을 전사하는 단계(단계 d); 및상기 단계 d가 수행된 고분자 몰드를 사용하여 새로운 기판에 접촉시키고, 압력을 가하여 고분자 몰드의 오목부 내부에 형성된 고분자 층을 전사하는 단계(단계 e);를 포함하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은,과불소 중합체를 포함하는 고분자 용액을 준비하는 단계(단계 a);상기 단계 a에서 준비된 고분자 용액을 기판 상부에 도포하여 과불소 중합체 박막을 형성하는 단계(단계 b);상기 단계 b에서 형성된 과불소 중합체 박막 상부에 패턴된 마스크를 올리고 자외선을 조사하는 단계(단계 c); 및상기 단계 c에서 자외선이 조사되지 않은 부분을 용매로 제거하는 단계(단계 d);를 포함하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은,과불소 중합체를 포함하는 고분자 용액을 준비하는 단계(단계 a);상기 단계 a에서 준비된 용액을 고분자 몰드 상부에 도포하여 과불소 중합체 박막을 형성하는 단계(단계 b);상기 단계 b에서 형성된 과불소 중합체 박막 상부에 패턴된 마스크를 올리고 자외선을 조사하는 단계(단계 c);상기 단계 c에서 자외선이 조사되지 않은 부분을 용매로 제거하여 패턴을 형성하는 단계(단계 d); 및상기 단계 d에서 형성된 패턴을 기판에 접촉시켜 고분자 몰드 표면에 형성된 패턴을 전사하는 단계(단계 e);를 포함하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은 미세 인쇄 접촉 기술, 포토리소그래피법, 임프린트법, 잉크젯 프린팅 및 디스펜싱로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 방법인 것을 특징으로 하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 과불소 중합체는 폴리(퍼플루오로알킬 메타크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl methacrylate) 또는 폴리(퍼플루오로알킬 아크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl acrylate)를 포함하는 단일 중합체 또는 공중합체인 것을 특징으로 하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 기판은 실리콘 기판, 유리 기판, 폴리 메틸 메타크릴레이트(Poly methyl methacrylate, PMMA) 기판, 폴리 비닐 피롤리돈(Poly vinyl pirrolidone, PVP) 기판, 폴리스타이렌(Polystyrene, PS) 기판, 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 기판, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone, PES) 기판, 고리형 올레핀 고분자(Cyclic olefin copolymer, COC) 기판, TAC(Triacetylcellulose) 기판, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol) 기판, 폴리이미드(Polyimide, PI) 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET) 기판 및 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate, PEN) 기판으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종인 것을 특징으로 하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1에서 형성된 패턴의 두께는 50 nm 내지 10 ㎛인 것을 특징으로 하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 나노 물질은 금속 나노 와이어, 산화물 나노 와이어, 탄소 나노 튜브, 그래핀, 금속 나노 입자 및 산화물 나노 입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 나노 물질 패턴의 제조방법
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