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(a) 기판 상에 트렌치 구조물을 형성하는 단계;
(b) 상기 트렌치 구조물 내측면 상에 전도층을 형성하는 단계;
(c) 상기 전도층 상에 촉매층을 형성하는 단계;
(d) 상기 촉매층 상에 금속 산화물 나노선 어레이를 형성하는 단계;
및
(e)상기 금속 산화물 나노선 어레이 상에 금속 입자를 부착하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 기판 상에 히터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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3
제2항에 있어서,
상기 히터는 백금(Pt), 납(Pb), 은(Ag), 니켈-크롬(Ni-Cr), 철-크롬(Fe-Cr) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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4
제1항에 있어서,
상기 트렌치 구조물은 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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5
제1항에 있어서,
상기 전도층은 크롬(Cr), 텅스텐(W), 질화티타늄(TiN) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 촉매층은 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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6
제1항에 있어서,
상기 전도층 및 상기 촉매층은 경사 증착법(angled deposition)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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7
제1항에 있어서,
상기 금속 산화물 나노선 어레이는 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 성장법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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8
제1항에 있어서,
상기 금속 산화물 나노선 어레이는 상기 트렌치 구조물의 일 내측면 상에 형성되는 제1 금속 산화물 나노선 어레이와 상기 트렌치 구조물의 일 내측면과 대향하는 내측면 상에 형성되는 제2 금속 산화물 나노선 어레이를 포함하며, 상기 제1 및 제2 금속 산화물 나노선 어레이는 복수개의 금속 산화물 나노선 접합(junction)을 이루는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 금속 산화물 나노선 어레이는 산화아연 나노선 어레이 또는 산화주석 나노선 어레이 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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10
제1항에 있어서
상기 금속 입자는 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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11
제1항에 있어서,
상기 (e) 단계는,
상기 트렌치 구조물 내에 상기 금속 입자를 포함하는 용액을 주입하는 단계; 및
상기 금속 입자를 포함하는 용액에 자외선 또는 감마선 중 어느 하나를 조사하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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12
제11항에 있어서,
상기 트렌치 구조물의 주위에 설치된 웰 구조물을 통하여 상기 트렌치 구조물 내에 상기 금속 입자를 포함하는 용액을 주입하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 나노선 센서의 제조방법
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13
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 금속 산화물 나노선 센서
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14
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 금속 산화물 나노선 센서를 복수개 포함하고, 상기 각 금속 산화물 나노선 센서에 부착된 금속 입자의 종류가 서로 다른 것을 특징으로 하는 다중 금속 산화물 나노선 센서
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