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기판을 제공하는 제1 공정 단계;상기 기판을 부분 식각하여 제1 영역 및 상기 제1 영역과 서로 높이가 다른 제2 영역을 형성하는 제2 공정 단계;상기 제1 및 제2 영역을 관통하는 컨택홀을 형성하는 제3 공정 단계;상기 컨택홀이 형성된 상기 기판 표면에 절연 박막을 형성하는 제4 공정 단계; 및상기 컨택홀 내에 도전층을 형성하는 제5 공정 단계;를 포함하고,상기 제2 공정 단계는,상기 기판 상에 상기 제1 영역을 형성하기 위해 제1 감광막을 패터닝하는 제1 패터닝 단계;상기 제1 감광막을 마스크로 하여, 상기 제1 감광막이 형성되지 않은 상기 기판 일부를 식각하여 상기 제1 영역을 형성하는 제1 식각 단계;상기 제1 감광막을 제거하는 제1 제거 단계;상기 제1 감광막이 제거된 상기 기판 영역 상에 상기 제2 영역을 형성하기 위해 제2 감광막을 패터닝하는 제2 패터닝 단계;상기 제2 감광막을 마스크로 하여, 상기 제2 감광막이 형성되지 않은 상기 기판 일부를 식각하여 상기 제2 영역을 형성하는 제2 식각 단계; 및상기 제2 감광막을 제거하는 단계를 포함하며,상기 제1 및 제2 영역의 상부는,발광소자용 플립칩과 접촉되고,상기 접촉되는 영역이 상기 발광소자용 플립칩의 대면적과 동일한 크기를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광 소자용 서브 마운트 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 영역 상부에는,숄더 금속층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광 소자용 서브 마운트 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은,실리콘 기판 또는 사파이어 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광 소자용 서브 마운트 기판 제조 방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 제3 공정 단계는,CO2 레이저를 이용하여 상기 제1 영역 및 제2 영역을 수직으로 관통하여 상기 제1 및 제2 컨택홀을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광 소자용 서브 마운트 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제4 공정 단계는,상기 컨택홀이 형성된 상기 기판에 열처리 과정을 수행하여 절연막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광 소자용 서브 마운트 기판 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 열처리 과정은,기판에 SiO2 절연막을 형성하여 기판 내부의 누설 전류를 방지하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광 소자용 서브 마운트 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제5 공정 단계는,전기 도금 처리 과정을 수행하여 상기 컨택홀 내에 전도층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광 소장용 서브 마운트 기판 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 전도층은,구리(Cu), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 금(Au), 플래티늄(Pt), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 오스늄(Os), 은(Ag), 이리듐(Ir) 또는 티타늄(Ti) 중 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광소자용 서브 마운트 기판 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 전기 도금 처리 과정은,DC 플레이팅 공정을 이용하여 상기 컨택홀 내에 전극 배선을 형성하고 방열 특성을 극대화하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 발광 소자용 서브 마운트 기판 제조 방법
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제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 따라 제조된 플립칩형 발광 소자용 서브 마운트 기판
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제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 따라 제조된 플립칩형 발광 소자용 서브 마운트 기판을 포함하는 플립칩형 발광 소자
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