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산화아연 나노막대 어레이를 이용한 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015158542
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화아연 나노막대 어레이를 이용한 센서 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 센서의 제조방법은 (a) 기판(110) 상에 산화아연 나노막대 어레이(140)를 형성하는 단계; 및 (b) 산화아연 나노막대 어레이(140) 상에 양극 전극(160) 및 음극 전극(170)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에, 본 발명은 나노막대와 전극간에 병렬회로를 이루게 됨으로써 감지 특성과 관련한 나노막대 어레이의 평균값이 센서에 반영됨에 따라 신뢰성이 매우 우수한 센서를 구현할 수 있게 된다. 나노막대, 산화아연, 센서, 신뢰성
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01)
출원번호/일자 1020080078200 (2008.08.08)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0019261 (2010.02.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.08)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상섭 대한민국 인천광역시 남구
2 박재영 대한민국 광주광역시 북구
3 최선우 대한민국 경상북도 김천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0571594-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0042906-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0466851-18
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0587666-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
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번호 청구항
1 1
산화아연 나노막대 어레이를 이용한 센서의 제조방법으로서, (a) 기판 상에 산화아연 나노막대 어레이를 형성하는 단계; 및 (b) 상기 산화아연 나노막대 어레이 상에 양극 전극 및 음극 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 산화아연 나노막대 어레이를 형성하기 전에 백금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 백금층을 형성하기 전에 상기 기판 상에 절연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 산화아연 나노막대 어레이는 화학 기상 증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 화학 기상 증착법에서 소스 물질로 디엘틸아연(diethylzinc) 및 산소 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 양극 및 음극 전극은 Ni층 및 Au층을 포함하는 이중층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 산화아연 나노막대 어레이를 구성하는 산화아연 나노막대는 병렬 연결되는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해 제조된 산화아연 나노막대 어레이를 이용한 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.