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백게이트 커플링을 이용한 4위상 전압 제어 발진 장치

  • 기술번호 : KST2015158544
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 4위상 전압 제어 발진 장치가 개시된다. 4위상 전압 제어 발진 장치는, 쌍(pair)을 이루는 스위칭 트랜지스터의 백게이트(back gate)를 이용하여 제1 발진신호 및 제2 발진신호를 생성하는 제1 전압 제어 발진부;, 쌍(pair)을 이루는 스위칭 트랜지스터의 백게이트(back gate)를 이용하여 제3 발진신호 및 제4 발진신호를 생성하는 제2 전압 제어 발진부, 및 제1 전압 제어 발진부, 및 제2 전압 제어 발진부를 캐스코드(cascode) 구조로 연결하는 바이패스 캐패시터(bypass capacitor)를 포함할 수 있다.
Int. CL H03B 5/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110007387 (2011.01.25)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1138487-0000 (2012.04.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤태열 대한민국 서울특별시 성동구
2 정유준 대한민국 부산광역시 북구
3 장호준 대한민국 부산광역시 금정구
4 곽경섭 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0060802-68
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0078003-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0683213-12
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0043488-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0043489-50
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0214002-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
쌍(pair)을 이루는 스위칭 트랜지스터의 백게이트(back gate)를 이용하여 제1 발진신호 및 제2 발진신호를 생성하는 제1 전압 제어 발진부; 쌍(pair)을 이루는 스위칭 트랜지스터의 백게이트(back gate)를 이용하여 제3 발진신호 및 제4 발진신호를 생성하는 제2 전압 제어 발진부; 및상기 제1 전압 제어 발진부, 및 상기 제2 전압 제어 발진부를 캐스코드(cascode) 구조로 연결하는 바이패스 캐패시터(bypass capacitor)를 포함하고,제1 전압 제어 발진부는,한 쌍의 피모스(pMOS) 스위칭 트랜지스터를 이용하여 상기 제1 및 제2 발진신호를 생성하고,상기 제2 전압 제어 발진부는,한 쌍의 엔모스(nMOS) 스위칭 트랜지스터를 이용하여 상기 제3 및 제4 발진신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 4위상 전압 제어 발진 장치
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 발진신호는, 상기 제3 및 제4 발진신호와 교차 연결을 통해 형성된 피드백 루프(Feedback Loop)를 이용하여 커플링되는 것을 특징으로 하는 4위상 전압 제어 발진 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 전압 제어 발진부는,제1 스위칭 트랜지스터와 제2 스위칭 트랜지스터를 교차 연결하여 부성저항을 생성하는 제1 부성저항부; 및상기 제1 발진신호를 제4 스위칭 트랜지스터의 백게이트에 인가하는 제1 커플링부;상기 제2 발진신호를 제3 스위칭 트랜지스터의 백게이트에 인가하는 제2 커플링부; 및상기 제1 부성저항부에서 출력되는 신호의 주파수를 변경하며, 가변 캐패시터로 구성되는 제1 공진부를 포함하는 4위상 전압 제어 발진 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 제1 커플링부는,상기 제1 스위칭 트랜지스터의 백게이트와 연결되며, 상기 제1 스위칭 트랜지스터의 백게이트로 DC 전류가 인가되는 것을 차단하는 바이패스 캐패시터(bypass capacitor), 및 상기 제1 스위칭 트랜지스터의 백게이트에 인가되는 발진신호를 DC 바이어싱하는 바이패스 저항으로 구성되고,상기 제2 커플링부는,상기 제2 스위칭 트랜지스터의 백게이트와 연결되며, 상기 제2 스위칭 트랜지스터의 백게이트로 DC 전류가 인가되는 것을 차단하는 바이패스 캐패시터(bypass capacitor), 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터의 백게이트에 인가되는 발진신호를 DC 바이어싱하는 바이패스 저항으로 구성되는 것을 특징으로 하는 4위상 전압 제어 발진 장치
6 6
제4항에 있어서,상기 제1 공진부는,가변 캐패시터에 제어 전압을 공급하여 상기 제1 부성저항부에서 출력되는 신호의 주파수를 변경하는 것을 특징으로 하는 4위상 전압 제어 발진 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 한 쌍의 피모스(pMOS) 스위칭 트랜지스터의 백게이트에는 공급 전압이 바이어싱(biasing)되고,상기 한 쌍의 엔모스(nMOS) 스위칭 트랜지스터의 백게이트에는 그라운드(ground)가 바이어싱되는 것을 특징으로 하는 4위상 전압 제어 발진 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 제1 발진신호, 상기 제2 발진신호, 상기 제3 발진신호, 및 상기 제4 발진신호는 위상차가 90도이고, 크기가 동일한 직교 위상 발진신호인 것을 특징으로 하는 4위상 전압 발진 장치
9 9
제1항에 있어서,상기 제2 전압 제어 발진부는,제3 스위칭 트랜지스터와 제4 스위칭 트랜지스터를 교차 연결하여 부성저항을 생성하는 제2 부성저항부; 및상기 제3 발진신호를 제1 스위칭 트랜지스터의 백게이트에 인가하는 제3 커플링부;상기 제4 발진신호를 제2 스위칭 트랜지스터의 백게이트에 인가하는 제4 커플링부; 및상기 제2 부성저항부에서 출력되는 신호의 주파수를 변경하며, 가변 캐패시터로 구성되는 제2 공진부를 포함하는 4위상 전압 제어 발진 장치
10 10
제9항에 있어서,상기 제3 커플링부는,상기 제3 스위칭 트랜지스터의 백게이트와 연결되며, 상기 제3 스위칭 트랜지스터의 백게이트로 DC 전류가 인가되는 것을 차단하는 바이패스 캐패시터(bypass capacitor), 및 상기 제3 스위칭 트랜지스터의 백게이트에 인가되는 발진신호를 DC 바이어싱하는 바이패스 저항으로 구성되고,상기 제4 커플링부는상기 제4 스위칭 트랜지스터의 백게이트와 연결되며, 상기 제4 스위칭 트랜지스터의 백게이트로 DC 전류가 인가되는 것을 차단하는 바이패스 캐패시터(bypass capacitor), 및 상기 제4 스위칭 트랜지스터의 백게이트에 인가되는 발진신호를 DC 바이어싱하는 바이패스 저항으로 구성되는 것을 특징으로 하는 4위상 전압 제어 발진 장치
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1 지식경제부 인하대학교 산학협력단 대학IT연구센터 육성지원사업 초광대역(UWB) 무선전송 및 시스템 응용기술