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ALE에 의한 실리콘 또는 사파이어 기판 위의 산화아연증착방법

  • 기술번호 : KST2015158563
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ALE에 의한 실리콘 또는 사파이어 기판 위에 ZnO 막의 증착방법에 관한 것으로, 구체적으로 ALE에 의한 실리콘 또는 사파이어 기판 위에 ZnO막의 증착방법에 있어서, ALE에 의한 ZnO 막 코팅 전에 ECR 플라즈마 전처리를 수행하여 기판의 세정을 위하는 것을 포함하는 ZnO 막의 증착방법에 관한 것이다. 본 발명에서 ZnO 코팅 전에 산소, 수소 또는 아르곤 ECR 플라즈마 전처리를 수행함으로써, 초기 발생되는 ZnO 막성장의 잠복기를 감소시킬 수 있으며, 특히 산소 ECR 플라즈마 전처리를 수행함으로써, 기판 표면의 히드록시기 밀도를 증가시켜 막성장을 더욱 향상시킬 수 있다. ZnO, ALE, Si, 사파이어, ECR 플라즈마, 산소, 수소, 아르곤.
Int. CL C23C 16/44 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020040017570 (2004.03.16)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2005-0092505 (2005.09.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.03.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종무 대한민국 인천광역시남구
2 임종민 대한민국 인천광역시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0107625-87
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2004.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-5046305-56
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2005-0063402-80
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0100907-65
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0278352-52
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0353469-88
8 의견서
Written Opinion
2006.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0441907-72
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0441871-16
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2006.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0467392-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원자막 증착법을 이용하여 Si 또는 사파이어 기판 위에 ZnO 막을 증착하는 방법에 있어서, ZnO 증착전에 ECR 플라즈마 전처리를 수행하여 Si 또는 사파이어 기판을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 증착방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 ECR 플라즈마가 산소, 수소 또는 아르곤 ECR 플라즈마인 것을 특징으로 하는 ZnO 증착방법
3 3
제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 ECR 플라즈마 전처리가 Si 또는 사파이어 기판이 로딩되어 있는 고밀도 플라즈마를 이용하는 ECR 플라즈마 챔버에 반응 가스로 산소, 수소 또는 아르곤을 공급하고, rf-전원 하에서 산소 플라즈마, 수소 플라즈마 또는 아르곤 플라즈마를 형성시킨 후 형성된 플라즈마를 Si 또는 사파이어 기판 위에 노출시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 ZnO 증착방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 ECR 플라즈마 전처리가 마이크로 파워 250∼350 W 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 ZnO 증착방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 ECR 플라즈마 전처리가 5∼15 분 동안의 노출시간을 갖는 것을 특징으로 하는 ZnO 증착방법
6 5
제 3항에 있어서, 상기 ECR 플라즈마 전처리가 5∼15 분 동안의 노출시간을 갖는 것을 특징으로 하는 ZnO 증착방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.