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황산코발트(CoSO4) 분말을 증류수에 용해시킨 후, 세틸트리메틸암모늄브로마이드(cetyltrimethylammonium bromide; CTAB) 분말을 첨가 및 혼합하여 전해질 용액을 제조하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 제조된 전해질 용액에 기판을 침지하고, 전기화학법으로 증착시켜 중간세공 구조를 갖는 사산화삼코발트 박막을 제조하는 단계(단계 2); 및
상기 단계 2에서 제조된 박막으로부터 세척용액을 사용하여 CTAB를 제거하는 단계(단계 3)를 포함하여 이루어지는 중간세공 구조를 갖는 사산화삼코발트 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 단계 1의 황산코발트 분말은 전해질 용액 내에서 0
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청구항 1에 있어서, 상기 단계 1의 CTAB는 1 내지 10 중량% 범위 내에서 첨가되는 것을 특징으로 하는 중간세공 구조를 갖는 사산화삼코발트 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 단계 2의 전해질 용액은 10 내지 90 ℃ 온도범위에서 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 중간세공 구조를 갖는 사산화삼코발트 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 단계 2의 전기화학 증착은 0
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청구항 1에 있어서, 상기 단계 2의 전기화학 증착은 1초 내지 60분간 수행되는 것을 특징으로 하는 중간세공 구조를 갖는 사산화삼코발트 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 단계 2의 전기화학 증착은 3원 전극시스템을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 중간세공 구조를 갖는 사산화삼코발트 박막의 제조방법
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청구항 7에 있어서, 상기 3원 전극시스템은 기준전극을 Ag/AgCl전극 또는 SCE 전극으로, 상대전극을 백금전극으로, 작업전극을 증착되는 기판으로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 중간세공 구조를 갖는 사산화삼코발트 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 단계 2의 기판은 ITO 유리, 스테인레스 스틸, 흑연 및 백금판으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 중간세공 구조를 갖는 사산화삼코발트 박막의 제조방법
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10
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 중간세공 구조를 갖는 사산화삼코발트 박막
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11
청구항 10에 있어서, 상기 중간세공 구조를 갖는 사산화삼코발트 박막은 1 내지 5 ㎚의 기공과 1 내지 5 ㎚의 입자두께를 갖는 것을 특징으로 하는 사산화삼코발트 박막
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