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팔라듐 입자가 코팅된 산화아연주석 나노로드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 가스센서

  • 기술번호 : KST2015158684
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 팔라듐 입자가 코팅된 산화아연주석 나노로드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 가스센서에 관한 것으로, 본 발명에 따른 팔라듐 입자가 코팅된 산화아연주석 나노로드는 나노로드의 표면에 팔라듐 클러스터(cluster)를 형성하여 산소 화학종 가스(일산화탄소, 이산화질소 등)가 잘 흡착되도록 하고, 나노로드의 표면을 불균일하게 하여 그 면적을 더 넓혀 가스에 대한 센싱 감도가 현저히 향상되므로, 가스 누설 탐지 및 경보, 가스 농도의 측정 및 기록 등에 사용되는 가스센서로 유용할 수 있다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020120025441 (2012.03.13)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1364138-0000 (2014.02.11)
공개번호/일자 10-2013-0104173 (2013.09.25) 문서열기
공고번호/일자 (20140218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종무 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 김현수 대한민국 경기 남양주시
3 진창현 대한민국 인천 남구
4 박성훈 대한민국 인천 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0201490-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0032119-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0521939-65
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0887625-71
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0887629-53
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0093895-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화아연주석(ZnSnO3) 나노로드; 및상기 나노로드 표면에 코팅되는 팔라듐 입자 코팅층;을 포함하고,일산화탄소 또는 이산화질소를 검출하는 것을 특징으로 하는 가스센서용 산화아연주석 나노로드
2 2
제1항에 있어서,상기 팔라듐 입자 코팅층의 두께는 10-50 nm인 것을 특징으로 하는 가스센서용 산화아연주석 나노로드
3 3
삭제
4 4
산화아연주석 나노로드를 팔라듐 전구체 용액에 넣고, 자외선을 조사하여 나노로드의 표면에 팔라듐 입자를 코팅하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 얻은 팔라듐 입자가 코팅된 산화아연주석 나노로드를 열처리하는 단계(단계 2);를 포함하는 제 1 항의 가스센서용 산화아연주석 나노로드의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 단계 1의 팔라듐 전구체 용액은 에탄올, 메탄올, 아세톤 및 헥산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기용매와 팔라듐 전구체를 900-1100:0
6 6
제5항에 있어서,상기 팔라듐 전구체는 Pd(NO3)2, PdSO4, Pd(NH4)2Cl4, PdCl2, K2PdCl4, Na2PdCl4 및 Pd(OOCH2CH3)2로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서용 산화아연주석 나노로드의 제조방법
7 7
제4항에 있어서,상기 단계 1의 자외선 조사는 300-450 nm 파장의 빛을 1-10분 동안 50-150 W로 조사하는 것을 특징으로 하는 가스센서용 산화아연주석 나노로드의 제조방법
8 8
제4항에 있어서,상기 단계 2의 열처리는 400-550 ℃의 비활성기체 분위기에서 0
9 9
기판; 절연층; 제1항에 따른 나노로드; 및 전극을 포함하되, 상기 구성이 나열된 순서대로 적층되는 것을 특징으로 하는 가스센서
10 10
제9항에 있어서,상기 기판은 반도체 기판, 도전성 기판 또는 비도전성 기판인 것을 특징으로 하는 가스센서
11 11
제9항에 있어서,상기 절연층은 이산화규소(SiO2), 산화알루미륨(Al2O3), 산화탄탈륨(Ta2O5), 산화지르코늄(ZrO2), 이산화하프늄(HfO2), 이산화타이타늄(TiO2), 산화질화규소(SiON), 질화규소(Si3N4), 하프늄 실리콘 옥시나이트라이드(HfSiON) 및 하프늄실리케이트(HfSiXOY, 이때 0
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국연구재단 도약연구 나노다공성 실리콘 기반 차세대 암진단 및 치료기술