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자기터널접합 구조에 대한 건식 식각 방법

  • 기술번호 : KST2015158706
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 자기접합터널 구조에 사용되는 건식 식각 방법을 제공한다. 상기 자기접합터널 구조에 이용되는 건식 식각 방법은 수소, 산소와 OH(hydroxy)기를 포함하는 알코올계 가스 및 알코올계 가스와 아르곤가스의 혼합가스를 식각가스로 사용하는 제1단계 및 상기 식각가스를 플라즈마 처리하여, 상기 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의해 식각하는 제2단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01)
출원번호/일자 1020110015580 (2011.02.22)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1222190-0000 (2013.01.08)
공개번호/일자 10-2012-0096270 (2012.08.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 마포구
2 김은호 대한민국 충청남도 서산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0127182-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0006945-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0242661-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0492451-35
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0492452-81
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0674085-98
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-1023608-63
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.12.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-1023609-19
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0011925-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
자기접합터널 구조에 사용되는 건식 식각 방법에 있어서,수소, 산소와 OH(hydroxy)기를 포함하는 알코올계 가스, 또는 상기 알코올계 가스와 He, Ne, Ar, 및 N2 가스 중 적어도 하나 이상의 불활성 가스의 혼합가스를 식각가스로 사용하는 단계;상기 식각가스를 플라즈마 처리하여, 상기 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의해 식각하는 단계를 포함하며,상기 알코올계 가스는,CH3OH 또는 C2H5OH 중 어느 하나이며, 상기 식각 가스가 알코올계 가스와 불활성 가스의 혼합가스인 경우, 식각가스 중 알코올계 가스의 농도가 40 부피% 내지 80 부피%이고, 상기 식각 가스의 나머지 농도는 He, Ne, Ar, 및 N2 가스 중 적어도 하나 이상의 불활성 가스이며,상기 식각하는 단계는, 800 W 내지 1500 W의 코일 고주파 전력, 300 V 내지 500 V의 dc-바이어스 전압 및 1 mTorr 내지 5 mTorr 범위의 가스 압력 하에서 하드 마스크로서 질화티타늄을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조에 대한 건식 식각 방법
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삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는, 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각법을 포함하는 고밀도 플라즈마 반응성 이온 식각법, 자기 증강 반응성 이온 식각법 및 반응성 이온 식각법 중 적어도 어느 하나로 선택되어 수행되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조에 대한 건식 식각 방법
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삭제
6 6
제1항에 따라 건식식각된 자기터널접합 구조
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 인하대학교 산학협력단 일반기본연구 차세대 비휘발성 자기메모리 개발을 위한 나노미터 크기의 자성박막 및 자기터널접합의 고밀도 플라즈마 식각공정 개발