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내벽 용사를 위한 비이송식 열플라즈마 토치

  • 기술번호 : KST2015158950
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 및 세라믹 분말의 용사, 소재의 표면처리 등의 공정에 적용할 수 있는 열플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치의 설계와 제작에 관한 것으로, 특히 튜브 보어, 실린더 보어 등의 공동의 내벽에 용사 공정을 수행하기 위하여, 발생되는 플라즈마 제트를 플라즈마 토치의 종방향에 수직한 방향으로 분사되도록 플라즈마 토치의 음극과 양극을 플라즈마 토치의 종방향에 대하여 횡으로 배열하고, 토치의 전극 구조, 기체 주입 방법, 분말 공급 방법의 개선과 플라즈마 토치 몸통 및 토치 헤드를 공동 내부의 열부하로부터 보호하기 위한 효율적인 냉각 수단을 구비하여 토치의 내구성 향상과 용사 공정의 성능 향상 및 작업편의성, 경제성을 확보할 수 있도록 한 직류 비이송식 플라즈마 토치 개발에 관한 것이다. 비이송식 플라즈마 토치, 플라즈마 용사, 내벽 용사, 용사 분말, 전극
Int. CL H05H 1/26 (2006.01)
CPC H05H 1/34(2013.01) H05H 1/34(2013.01) H05H 1/34(2013.01) H05H 1/34(2013.01) H05H 1/34(2013.01)
출원번호/일자 1020040033725 (2004.05.13)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0715300-0000 (2007.04.30)
공개번호/일자 10-2005-0108703 (2005.11.17) 문서열기
공고번호/일자 (20070508) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.05.13)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍상희 대한민국 경기도용인시
2 이찬민 대한민국 서울특별시관악구
3 최수석 대한민국 서울특별시관악구
4 황태형 대한민국 서울특별시용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김병주 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)
2 김성헌 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** 비봉빌딩 *층(장백국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)플라즈닉스 인천광역시 남동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2004-0200856-21
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2004.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2004-5074619-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.08.17 수리 (Accepted) 9-1-2005-0051738-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0118920-14
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0306727-72
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0384704-39
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0464128-05
9 의견서
Written Opinion
2006.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0550761-26
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0550784-76
11 등록결정서
Decision to grant
2007.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0055630-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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용사공정을 위한 열플라즈마 토치에 있어서, 길이방향으로 소정길이를 갖는 몸통(2)과;상기 몸통의 단부에 탈부착이 가능한 플라즈마 토치헤드로서,음극(3)과, 상기 음극과 반응하여 열플라즈마를 발생시키는 양극 노즐(4)을 포함하는데, 상기 음극과 양극노즐은 상기 몸통의 길이방향에 대해 수직인 방향으로 놓인 축 방향으로 형성되는, 플라즈마 토치헤드를; 포함하는데 상기 몸통은 상기 플라즈마 토치헤드로 분말을 주입하는 분말주입구(16), 기체를 주입하는 기체공급튜브(15), 냉각수를 주입하는 음극냉각수튜브(13), 주입된 상기 냉각수가 상기 플라즈마 토치헤드를 냉각시키고 빠져나가는 양극냉각수튜브(14)를 포함하며 상기 플라즈마 토치는 그 중앙에 플라즈마제트의 출구쪽으로 갈수록 내경이 커지는 구멍이 형성된 도우넛모양의 양극뚜껑(9)이 상기 양극노즐 외부에 분리가능하게 부착되며 상기 양극뚜껑에는 상기 분말공급튜브에 연결되는 채널이 형성되어 분말공급을 이루도록 하는 분말통로(4)가 형성된 것을 특징으로하며기체냉매를 공급하기 위한 통로(42)가 토치 몸통외장(17)내에 형성되며 상기 통로를 통하여 공급되는 기체 냉매는 토치 몸통 외장내를 흐르면서 용사공정이 이루어지는 공동 내부의 열부하로부터 토치 몸통과 그 내부를 보호하며, 상기 기체 냉매는 상기 몸통의 연장되는 방향과 상기 몸통과 수직되는 방향들로 배출되어 플라즈마 토치 헤드를 추가적으로 냉각시켜 토치 헤드의 내구성을 향상시키며, 용사 공정이 이루어지는 공동 내부에 공기를 강제적으로 순환시켜 플라즈마 제트가 분사되는 주변의 부유 분말을 제거하고 모재를 냉각시키는 역할도 수행하게 하는, 열플라즈마 토치
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 토치헤드는, 상기 양극노즐(4)을 지지하기 위한 양극 몸체와 상기 음극을 지지하기 위한 음극몸체와 상기 음극몸체와 상기 양극몸체를 이격시키기 위한 절연체를 포함하며, 상기 음극 및 상기 절연체 및, 상기 양극노즐은 일방향으로 차례로 정렬되며, 상기 음극냉각수튜브는 상기 음극몸체(6)와 상기 음극(3)사이에 형성된 음극환형채널에 연결되며 상기 음극환형채널은 상기 절연체(7)내부에 형성된 통로를 통해 상기 양극몸체(8)와 상기 양극노즐사이에 형성된 양극환형채널에 연결되며 상기 양극 환형채널은 냉각수를 배출시키기 위한 상기 양극 냉각수튜브(14)에 연결되는, 열플라즈마 토치
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제1항에 있어서, 상기 열플라즈마 토치는 중심에 구멍이 형성된 도우넛 모양으로 상기 음극 주위을 둘러싸는 기체주입링이 상기 음극주위에 형성되며
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