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에틸렌 옥사이드 단량체 및 이를 포함하는 포토레지스트용 중합체

  • 기술번호 : KST2015159011
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고집적 반도체 소자의 미세회로패턴 형성 공정에 사용되며, 원자외선 영역의 광원을 이용한 리소그래피 공정에 적합한 에틸렌 옥사이드 단량체 및 이를 포함하는 포토레지스트용 중합체가 개시된다. 상기 포토레지스트용 중합체의 바람직한 예는 하기 화학식으로 표시된다. 상기 화학식에서, POSS는 치환되거나 치환되지 않은 폴리헤드럴올리고실세스퀴옥세인기이고, R1은 수소 또는 말단에 하이드록시 작용기를 가지는 탄소수 1 내지 8의 알킬기이고, R2는 터셔리부틸, 터셔리부톡시카보닐, 또는 트리메틸실릴이며, a, b, c 및 d는 상기 중합체의 전체 반복단위에 대한, 각 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 0.1 내지 99.7몰%이다. 에틸렌 옥사이드, 포토레지스트, 단량체, 원자외선, 노광.
Int. CL G03F 7/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0395(2013.01) G03F 7/0395(2013.01) G03F 7/0395(2013.01) G03F 7/0395(2013.01) G03F 7/0395(2013.01) G03F 7/0395(2013.01) G03F 7/0395(2013.01) G03F 7/0395(2013.01)
출원번호/일자 1020040088030 (2004.11.01)
출원인 주식회사 동진쎄미켐, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-1113141-0000 (2012.01.31)
공개번호/일자 10-2006-0038858 (2006.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20120215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 동진쎄미켐 대한민국 인천광역시 서구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상정 대한민국 경기도 화성시
2 김덕배 대한민국 경기도 화성시
3 김재현 대한민국 경기도 화성시
4 류현수 대한민국 경상남도 밀양시 밀양대로 ***
5 이종찬 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이상헌 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 동진쎄미켐 인천광역시 서구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-0505253-20
2 보정요구서
Request for Amendment		 2004.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0077315-83
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0549779-43
4 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0549695-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0610496-21
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.10.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2010-0068187-81
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0300797-26
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0592409-16
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0592468-99
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0041202-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006280-04
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
하기 화학식 2a 및 2b로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 반복단위를 1종 이상 포함하는 포토레지스트용 중합체
3 3
제2항에 있어서, 상기 화학식 2a 및 2b로 표시되는 각 반복 단위의 몰%는, 상기 각 반복 단위를 포함하는 중합체의 전체 반복단위에 대하여, 각각 독립적으로 0
4 4
제2항에 있어서, 상기 중합체는 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 포토레지스트용 중합체
5 5
제4항에 있어서, 상기 a, b, c 및 d는 각각 1 내지 20몰% : 5 내지 30몰% : 30 내지 60몰% : 30내지 50몰% 것인 포토레지스트용 중합체
6 6
제2항에 있어서, 상기 중합체의 중량평균 분자량은 3,000 내지 100,000인 것인 포토레지스트용 중합체
7 7
하기 화학식 2a 및 2b로 표시되는 반복단위를 1종 이상 포함하는 중합체, 산을 발생시키는 광산발생제, 및 유기 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물
8 8
하기 화학식 2a 및 2b로 표시되는 반복단위를 1종 이상 포함하는 중합체, 산을 발생시키는 광산발생제, 및 유기 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 기판에 조성물을 도포하고 건조하여 포토레지스트막을 형성하는 단계[화학식 2a][화학식 2b]상기 화학식 2a 및 2b에서, R*은 수소, 또는 말단에 하이드록시 작용기 또는 폴리헤드럴올리고실세스퀴옥세인기를 가지는 탄소수 1 내지 8의 알킬기이고, R**는 수소, 터셔리부틸, 터셔리부톡시카보닐, 또는 트리메틸실릴이다;상기 포토레지스트막을 소정 패턴으로 노광하는 단계;상기 노광된 포토레지스트 패턴을 현상하는 단계; 및 현상된 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여, 기판을 에칭하는 단계를 포함하는 미세회로패턴의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.